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Diodes Schottky 650 V en carbure de silicium
Les dispositifs 4 A à 40 A de Vishay présentent une conception MPS (merged PIN-Schottky)
Vishay présente ses diodes Schottky 650 V en carbure de silicium (SiC) dotées d'une conception MPS (Merged PIN-Schottky). Ces dispositifs sont conçus pour augmenter le rendement des applications haute fréquence en réduisant les pertes de commutation, quels que soient les effets des variations de température ; ceci permet aux dispositifs de fonctionner à des températures plus élevées. La conception MPS (merged PIN-Schottky) des dispositifs protège le champ électrique de la barrière Schottky afin de réduire les courants de fuite, tout en augmentant la capacité de courant de pointe via l'injection de trous. Par rapport aux dispositifs Schottky en silicium pur, ces diodes gèrent le même niveau de courant avec seulement une légère augmentation de la chute de tension directe, tout en démontrant un degré de robustesse nettement plus élevé ; ceci offre aux concepteurs une meilleure flexibilité pour l'optimisation de leur système. Elles sont proposées en boîtiers 2L TO-220AC et TO-247AD 3L.
- Conception MPS (merged PIN-Schottky)
- Coefficient de température VF positif pour mise en parallèle aisée
- Comportement de commutation invariant en température
- Disponible avec des courants nominaux de 4 A à 40 A
- Fonctionnement à haute température jusqu'à +175°C
- Conformité au test whisker JESD 201 classe 1A
- Disponible en boîtiers 2L TO-220AC et TO-247AD 3L
- Correction du facteur de puissance et rectification de sortie dans les alimentations indirectes
- Convertisseurs LLC pour serveurs
- Équipement de télécommunications
- Alimentations secourues
- Onduleurs solaires
650 V Silicon Carbide Schottky Diodes
| Image | Référence fabricant | Description | Courant - Fuite inverse à Vr | Vitesse | Courant - Moyen redressé (Io) | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VS-C12ET07T-M3 | DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC | 65 µA @ 650 V | Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) | 12A | 0 - Immédiatement | $1.83 | Afficher les détails | |
| VS-C10ET07T-M3 | DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC | 55 µA @ 650 V | Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) | 10A | 0 - Immédiatement | $1.56 | Afficher les détails | |
 | VS-C20ET07T-M3 | DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC | 100 µA @ 650 V | Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) | 20A | 0 - Immédiatement | $3.41 | Afficher les détails | |
| VS-C16ET07T-M3 | DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC | 45 µA @ 650 V | Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) | 8A | 0 - Immédiatement | $2.75 | Afficher les détails | |
| VS-C08ET07T-M3 | DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC | 45 µA @ 650 V | Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) | 8A | 0 - Immédiatement | $1.24 | Afficher les détails | |
| VS-C04ET07T-M3 | DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC | 25 µA @ 650 V | Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) | 4A | 0 - Immédiatement | $0.76 | Afficher les détails | |
| VS-C06ET07T-M3 | DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC | 75 µA @ 650 V | Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) | 6A | 0 - Immédiatement | $1.03 | Afficher les détails | |
 | VS-C40CP07L-M3 | DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC | 100 µA @ 650 V | Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) | 20A | 0 - Immédiatement | $8.25 | Afficher les détails | |
| VS-C20CP07L-M3 | DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC | 55 µA @ 650 V | Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) | 10A | 0 - Immédiatement | See Page for Pricing | Afficher les détails | |
| VS-C16CP07L-M3 | DIODE SIL CARB 650V 16A TO220AC | 85 µA @ 650 V | Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) | 16A | 0 - Immédiatement | See Page for Pricing | Afficher les détails |
France