Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Diodes Schottky en carbure de silicium VS-SCx

Les diodes de Vishay réduisent considérablement les pertes par conduction pour un rendement accru

Image des diodes Schottky VS-SCx en carbure de silicium de VishayLes diodes Schottky en carbure de silicium (SiC) de 650 V et 1200 V de Vishay, conditionnées dans le boîtier SOT-227 standard de l'industrie, sont conçues pour offrir une vitesse et un rendement élevés pour les applications haute fréquence. Les dispositifs de Vishay offrent le meilleur compromis entre la charge capacitive (QC) et la chute de tension directe pour les diodes de leur catégorie. La faible chute de tension directe des diodes atténue considérablement les pertes par conduction, ce qui améliore le rendement, tandis que leur faible valeur QC permet une commutation à haute vitesse. Pour augmenter encore le rendement, ces dispositifs offrent de meilleurs paramètres de recouvrement inverse que les diodes à base de silicium et ne présentent pratiquement aucune queue de recouvrement. Grâce à leur boîtier standard, les dispositifs offrent des solutions de remplacement immédiates aux solutions concurrentes.

Fonctionnalités
  • Boîtier SOT-227 aux normes de l'industrie
  • Configurations disponibles et courant direct :
    • Deux diodes distinctes, brochage parallèle : 40 A à 240 A
    • Pont monophasé : 50 A et 90 A
  • Construction sur une technologie de pointe à plaquettes minces
  • Faible QC de seulement 56 nC
  • Faible chute de tension directe de seulement 1,36 V
  • Fonctionnement haute température jusqu'à +175°C
  • Coefficient de température positif pour faciliter la mise en parallèle
  • Approbation UL, dossier E78996
  • Grande ligne de fuite entre les bornes
  • Conceptions mécaniques simplifiées pour un assemblage rapide
Applications
  • Redressement de sortie ultra-haute fréquence CC/CC et PFC CA/CC dans les convertisseurs FBPS et LLC pour systèmes photovoltaïques
  • Bornes de recharge
  • Alimentations secourues industrielles
  • Alimentations pour télécommunications

VS-SCx Silicon Carbide Schottky Barrier Diodes

ImageRéférence fabricantDescriptionTension - CC inverse (Vr) (max.)Quantité disponiblePrixAfficher les détails
DIODE MOD SIC 650V 20A SOT-227VS-SC40FA65DIODE MOD SIC 650V 20A SOT-227650 V138 - Immédiatement$31.19Afficher les détails
DIODE MOD SIC 650V 40A SOT-227VS-SC80FA65DIODE MOD SIC 650V 40A SOT-227650 V116 - Immédiatement$40.50Afficher les détails
DIODE MOD SIC 1200V 20A SOT-227VS-SC40FA120DIODE MOD SIC 1200V 20A SOT-2271200 V150 - Immédiatement$34.20Afficher les détails
DIODE MOD SIC 650V 60A SOT-227VS-SC120FA65DIODE MOD SIC 650V 60A SOT-227650 V156 - Immédiatement$51.62Afficher les détails
DIODE MOD SIC 1200V 40A SOT-227VS-SC80FA120DIODE MOD SIC 1200V 40A SOT-2271200 V204 - Immédiatement$49.22Afficher les détails
DIODE MOD SIC 1200V 60A SOT-227VS-SC120FA120DIODE MOD SIC 1200V 60A SOT-2271200 V73 - Immédiatement$64.96Afficher les détails
DIODE MOD SIC 650V 80A SOT-227VS-SC160FA65DIODE MOD SIC 650V 80A SOT-227650 V142 - Immédiatement$61.93Afficher les détails
DIODE MOD SIC 650V 100A SOT-227VS-SC200FA65DIODE MOD SIC 650V 100A SOT-227650 V128 - Immédiatement$71.48Afficher les détails
DIODE MOD SIC 1200V 80A SOT-227VS-SC160FA120DIODE MOD SIC 1200V 80A SOT-2271200 V84 - Immédiatement$80.57Afficher les détails
DIODE MOD SIC 650V 120A SOT-227VS-SC240FA65DIODE MOD SIC 650V 120A SOT-227650 V135 - Immédiatement$80.89Afficher les détails
DIODE MOD SIC 1200V 100A SOT-227VS-SC200FA120DIODE MOD SIC 1200V 100A SOT-2271200 V123 - Immédiatement$95.68Afficher les détails
DIODE MOD SIC 1200V 120A SOT-227VS-SC240FA120DIODE MOD SIC 1200V 120A SOT-2271200 V210 - Immédiatement$110.45Afficher les détails
Date de publication : 2025-02-12

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