Transistors à effet de champ à jonction (JFET) SiC série UJ3N
La série UJ3N de transistors JFET SiC d'onsemi se caractérise par une faible charge de grille qui permet une faible conduction et des pertes de commutation réduites
La série UJ3N d'onsemi comprend des transistors JFET SiC hautes performances normalement à l'état passant, de 650 V à 1200 V, avec une résistance à l'état passant (RDS(ON)) ultrafaible de 25 MΩ seulement. La charge de grille (QG) est également faible, ce qui permet une faible conduction et des pertes de commutation réduites, ainsi qu'une protection du circuit.
- Options de dispositifs de 650 V à 1200 V
- Faible résistance à l'état passant de 25 MΩ
- Limitation du courant : diminution rapide du courant due à l'auto-échauffement, limitation de l'I2t
- Transistors JFET normalement à l'état passant : VG(th) invariant avec la température
- Conformité à RoHS
- Circuits de protection contre les surintensités
- Onduleurs CC/CA
- Alimentations à découpage
- Modules de correction du facteur de puissance
- Variateurs moteur
- Chauffage par induction
UJ3N Series of SiC JFETs
| Image | Référence fabricant | Description | Puissance - Max. | Température de fonctionnement | Type de montage | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | UJ3N065025K3S | JFET N-CH 650V 85A TO247-3 | 441 W | -55°C ~ 175°C (TJ) | Trou traversant | 478 - Immédiatement | $21.91 | Afficher les détails |
![]() | ![]() | UJ3N065080K3S | JFET N-CH 650V 32A TO247-3 | 190 W | -55°C ~ 175°C (TJ) | Trou traversant | 1777 - Immédiatement 7800 - Stock usine | $10.28 | Afficher les détails |
![]() | ![]() | UJ3N120035K3S | JFET N-CH 1200V 63A TO247-3 | 429 W | -55°C ~ 175°C (TJ) | Trou traversant | 3738 - Immédiatement 1800 - Stock usine | $31.16 | Afficher les détails |
![]() | ![]() | UJ3N120070K3S | JFET N-CH 1200V 33.5A TO247-3 | 254 W | -55°C ~ 175°C (TJ) | Trou traversant | 1103 - Immédiatement 3600 - Stock usine | $18.00 | Afficher les détails |






