FET SiC UF3SC avec RDS(ON) < 10 mΩ

Les FET SiC UF3SC d'onsemi, avec des niveaux R_DS(ON) de 7 mΩ à 650 V et 10 mΩ à 1200 V, offrent des niveaux de performances et de rendement inégalés pour une utilisation haute puissance. Ces dispositifs FET SiC hautes performances sont basés sur une configuration de circuit cascode unique dans laquelle un JFET SiC normalement ouvert est conditionné conjointement avec un MOSFET Si pour produire un dispositif FET SiC normalement fermé. Les caractéristiques d'attaque de grille standard du dispositif permettent un véritable remplacement direct des IGBT Si, FET Si, MOSFET SiC ou des dispositifs à superjonction Si. Disponibles en boîtier TO-247-4L, ces dispositifs présentent une charge de grille ultrafaible et des caractéristiques de recouvrement inverse exceptionnelles, ce qui les rend parfaitement adaptés à la commutation de charges inductives et à toute application nécessitant une attaque de grille standard.