Les FET SiC de 4e génération 750 V contribuent à la conception d'alimentations de nouvelle génération

Basée sur une configuration cascode unique, la série UJ4C/SC de FET SiC de 4e génération d'onsemi est évaluée à 750 V, et elle est disponible en options de 6 mΩ à 60 mΩ. Ces dispositifs offrent d'excellents facteurs de mérite, qui réduisent les pertes de conduction et augmentent le rendement à une vitesse plus élevée, tout en améliorant la rentabilité globale. Les performances de commutation et les valeurs Q_rr sont améliorées, tout comme les pertes E_on et E_off à chaque résistance R_DS(on) donnée. De plus, des niveaux réduits de E_oss et C_oss se traduisent par de faibles pertes totales. Ces dispositifs peuvent être entraînés en toute sécurité avec une tension d'attaque de grille standard de 0 V à 12 V ou 15 V. Une bonne marge de bruit de seuil est maintenue avec une véritable tension de seuil de 5 V. Comme les générations précédentes, ces FET SiC peuvent fonctionner à partir de toutes les tensions de commande typiques d'IGBT Si, de MOSFET Si et de MOSFET SiC. Ils intègrent également une pince de protection de grille DES. De nombreux dispositifs sont homologués selon la norme AEC-Q101.