La croissance continue du trafic de données - emmenée par les smartphones, les dispositifs corporels et les applications telles que la réalité virtuelle et l'Internet des objets (IoT) - conduit à un nombre croissant d'interfaces haute vitesse qui nécessitent généralement une protection contre les événements de décharges électrostatiques (DES). Pour répondre à cette demande, Toshiba Electronics Europe a lancé de nouvelles diodes de protection DES basées sur le processus de matrices de diodes DES de 4e génération (EAP-IV), utilisant la technologie de retour propriétaire de Toshiba.
Les dispositifs DF2B5M4SL, DF2B6M4SL, DF10G5M4N et DF10G6M4N offrent une protection aux interfaces haute vitesse, y compris les applications USB 3.1. Un choix de tensions de fonctionnement (3,6 et 5,5 V) et de boîtiers (SOD962 et DFN10) fournit des options flexibles pour la mise en œuvre de la protection DES dans de nombreuses conceptions.
Grâce au nouveau processus de Toshiba, les quatre dispositifs fournissent simultanément une faible capacité, une faible résistance dynamique et une haute endurance aux décharges électrostatiques. La distorsion de signal minimum des signaux de données haute vitesse est garantie par la capacité ultrafaible de 0,2 pF, tandis qu'une résistance dynamique typique de RDYN=0,5 Ω garantit de faibles tensions de blocage. Des niveaux élevés de protection DES sont pris en charge tandis que des tensions de décharges électrostatiques d'au moins ±20 kV sont garanties, conformément à CEI61000-4-2.
Les dispositifs DF2BxM4SL sont particulièrement adaptés pour le montage sur des cartes à circuit imprimé à haute densité de composants, car le boîtier SOD-962 requiert une empreinte de seulement 0,62 mm x 0,32 mm, et peut être placé à proximité des circuits intégrés nécessitant une protection DES. Pour les types DF10GxM4N, le boîtier DFN10 peut être simplement placé sur une ligne de bus 4 bits. Cette conception à flux continu prend en charge le routage de bus simple sur la carte, car aucun adaptateur à ligne supplémentaire n'est requis pour connecter des diodes TVS simples.
Toshiba propose également une variété de diodes de protection DES à faible coût pour les applications moins exigeantes, des vitesses USB et HDMI à la protection de boutons-poussoirs et de ports audio.
| Fonctionnalités (avec le DF2B6M4SL en tant qu'exemple) |
|
|
- Décharge CEI61000-4-2 (air/contact) : ±20 kV / ±20 kV
- Faible résistance dynamique : RDYN=0,5 Ω
|
|
- Faible capacité : CT=0,2 pF
- Boîtier SOD-962 compact : 0,32 mm x 0,62 mm
|
Applications
- Électronique grand public
- Téléphones mobiles
- Dispositifs corporels
- Routeurs et concentrateurs
- Dispositifs électroniques alimentés par batterie
- Internet des objets (IOT)
- Ports USB2.0 / USB3.0 / USB Type-C™
- Ports HDMI
- Ports HDMI2.0
- Ports Ethernet
|
| Vidéo :
|
Paramètres
Livraison rapide
Livraison gratuite
Incoterms
Types de paiement
Produit marketplace
La croissance continue du trafic de données - emmenée par les smartphones, les dispositifs corporels et les applications telles que la réalité virtuelle et l'Internet des objets (IoT) - conduit à un nombre croissant d'interfaces haute vitesse qui nécessitent généralement une protection contre les événements de décharges électrostatiques (DES). Pour répondre à cette demande, Toshiba Electronics Europe a lancé de nouvelles diodes de protection DES basées sur le processus de matrices de diodes DES de 4e génération (EAP-IV), utilisant la technologie de retour propriétaire de Toshiba.
France