Circuits d'attaque de grille isolés à deux canaux UCC21520

Texas Instruments propose ses circuits d'attaque de grille à deux canaux UCC21520, avec isolement de 5,7 kVeff, qui allient fonctions d'isolement et circuit d'attaque tampon

Image des circuits d'attaque de grille isolés à deux canaux UCC21520 de Texas InstrumentsLe dispositif UCC21520 de Texas Instruments est un circuit d'attaque de grille isolé, à deux canaux, avec un courant source de 4 A et un courant de réception de crête de 6 A. Il est conçu pour commander des MOSFET de puissance, des transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) et des MOSFET en carbure de silicium jusqu'à 5 MHz avec des valeurs de distorsion de largeur d'impulsion et de délai de propagation figurant parmi les meilleures.

Le côté en entrée est isolé des deux circuits d'attaque en sortie par une barrière galvanique renforcée de 5,7 kVeff, avec un minimum de 100 V/ns d'immunité transitoire en mode commun (CMTI). Un isolement fonctionnel interne entre les deux circuits d'attaque côté secondaire permet une tension de fonctionnement allant jusqu'à 1500 VCC.

Ce circuit d'attaque peut être configuré sous la forme de deux circuits d'attaque bas potentiel, deux circuits d'attaque haut potentiel ou un circuit d'attaque en demi-pont avec temps de récupération programmable (DT). Une broche de désactivation arrête simultanément les deux sorties lorsqu'elle est définie à l'état haut et elle permet un fonctionnement normal lorsqu'elle reste ouverte ou est mise à la terre. Par mesure de sécurité, les défaillances logiques côté primaire forcent les deux sorties à l'état bas.

Le dispositif accepte des tensions d'alimentation VDD jusqu'à 25 V. Une vaste plage d'entrées VCCI de 3 V à 18 V rend le circuit d'attaque adapté à l'interfaçage avec des contrôleurs analogiques et numériques. Toutes les broches de tension d'alimentation disposent d'une protection de verrouillage en cas de sous-tension (UVLO).

Grâce à toutes ces fonctionnalités avancées, le dispositif UCC21520 permet un rendement élevé, une haute densité de puissance et une robustesse supérieure dans une grande variété d'applications de puissance.

Fonctionnalités
  • Universel : circuit d'attaque en demi-pont, double bas potentiel ou double haut potentiel
  • Plage de températures de fonctionnement de -40°C à +125°C
  • Paramètres de commutation :
    • Délai de propagation typique de 19 ns
    • Largeur d'impulsion minimale de 10 ns
    • Adaptation de retard maximale de 5 ns
    • Distorsion de largeur d'impulsion maximale de 5 ns
  • Immunité transitoire en mode commun (CMTI) supérieure à 100 V/ns
  • Immunité aux surtensions jusqu'à 12,8 kV
  • Durée de vie de la barrière galvanique > 40 ans
  • Courant source de crête de 4 A, sortie de récepteur de crête de 6 A
  • Entrées compatibles TTL et CMOS
  • Plage d'entrées VCCI de 3 V à 18 V pour interfacer avec des contrôleurs analogiques et numériques
  • Alimentation d'attaque de sortie jusqu'à 25 VDD
    • Options UVLO (verrouillage en cas de sous-tension) de 5 VDD, 8 VDD et 12 VDD
  • Temps de récupération et chevauchement programmables
  • Rejette les impulsions d'entrée et les transitoires de bruit inférieurs à 5 ns
  • Désactivation rapide pour le séquencement de puissance
  • Large boîtier SOIC-16 (DW) aux normes de l'industrie
  • Homologations en matière de sécurité et de règlementation :
    • Isolement de 8000 VPK selon la norme DIN V VDE V 0884-10 (VDE V0884-10):2006-12 (planifié)
    • Isolement de 5700 Veff pendant 1 minute selon UL 1577
    • Avis d'acceptation des composants CSA 5 A, normes d'équipements terminaux CEI 60950-1 et CEI 60601-1 (planifié)
    • Certification CQC selon GB4943.1-2011 (planifié)

UCC21520, Isolated, Dual-Channel Gate Drivers

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
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Date de publication : 2016-09-15