Convertisseurs abaisseurs TPS54116-Q1

TI présente la solution d'alimentation DDR automobile TPS54116-Q1 avec un convertisseur CC/CC VDDQ 4 A, 2 MHz, un LDO VTT 1 A et une sortie de référence en tampon VTTREF

Image du convertisseur abaisseur TPS54116-Q1 de Texas InstrumentsLe dispositif TPS54116-Q1 de Texas Instruments est un convertisseur abaisseur synchrone 6 V, 4 A aux fonctionnalités complètes avec deux MOSFET intégrés et un régulateur à terminaison VTT à double débit de données (DDR) récepteur/source de 1 A, avec une sortie de référence en tampon VTTREF. Le régulateur abaisseur TPS54116-Q1 réduit le format de la solution en intégrant les MOSFET et en réduisant la taille de l'inductance avec une fréquence de commutation jusqu'à 2,5 MHz. La fréquence de commutation peut être définie au-dessus de la bande radio en ondes moyennes pour les applications sensibles au bruit et elle peut être synchronisée avec une horloge externe. Le redressement synchrone maintient la fréquence fixée sur la plage de charges de sortie complète. Le rendement est optimisé grâce aux MOSFET haut potentiel 33 mΩ et bas potentiel 25 mΩ intégrés. Une limite de courant de crête cycle par cycle protège le dispositif lors des conditions de surintensité, et elle est ajustable avec une résistance à la broche ILIM pour l'optimiser pour des inductances plus petites.

Le régulateur à terminaison VTT permet de maintenir une réponse transitoire rapide avec une capacité de sortie céramique de seulement 2 x 10 µF, réduisant ainsi le nombre de composants externes. Le TPS54116-Q1 utilise la détection à distance de VTT pour une meilleure régulation. L'utilisation des broches d'activation pour entrer en mode d'arrêt réduit le courant d'alimentation à 1 µA. Les seuils de verrouillage en cas de sous-tension peuvent être définis avec un réseau de résistances sur l'une des broches d'activation. Les sorties VTT et VTTREF sont déchargées lorsqu'elles sont désactivées avec ENLDO. L'intégration complète permet de réduire l'empreinte du circuit intégré avec un boîtier WQFN thermiquement amélioré de 4 mm x 4 mm.

Fonctionnalités
  • Qualification AEC-Q100 avec les résultats suivants :
    • Température des dispositifs de grade 1 : plage de températures ambiantes de fonctionnement de -40°C à +125°C
    • Classification HBM ESD niveau 2
    • Classification CDM ESD niveau C6
  • LDO à terminaison source/récepteur 1 A avec précision CC ±20 mV
    • Stabilité avec un condensateur MLCC 2 x 10 µF
    • Sortie de référence en tampon source/récepteur 10 mA régulée entre 49 % et 51 % de VDDQ
  • Broches d'activation indépendantes avec hystérésis et UVLO ajustables
  • Blocage thermique
  • Solution d'alimentation mémoire DDR2, DDR3 et DDR3L monopuce
  • Convertisseur abaisseur synchrone 4 A
    • MOSFET haut potentiel 33 mΩ et bas potentiel 25 mΩ intégrés
    • Contrôle en mode courant à fréquence fixe
    • Fréquence ajustable de 100 kHz à 2,5 MHz
    • Synchronisation avec une horloge externe
    • Référence de tension de 0,6 V, ±1 % sur la température
    • Limite de courant de crête cycle par cycle ajustable
    • Démarrage monotone en sorties prépolarisées
  • Boîtier WQFN à 24 broches de 4 mm x 4 mm
  • TJ de fonctionnement de -40°C à 150°C

TPS54116-Q1 Step-Down Converters

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
IC REG CONV DDR 1OUT 24WQFNTPS54116QRTWTQ1IC REG CONV DDR 1OUT 24WQFN437 - Immédiatement$6.11Afficher les détails
IC REG CONV DDR 1OUT 24WQFNTPS54116QRTWRQ1IC REG CONV DDR 1OUT 24WQFN681 - Immédiatement$5.19Afficher les détails
Date de publication : 2016-10-05