Étage de puissance GaN en demi-pont LMG5200 80 V

Le dispositif LMG5200 de Texas Instruments est un étage de puissance en demi-pont GaN combiné à un circuit d'attaque de 10 A et 80 V, qui offre une solution d'étage de puissance intégrée utilisant des FET au nitrure de gallium (GaN) à mode d'enrichissement. Ce dispositif est constitué de deux transistors FET GaN de 80 V commandés par un circuit d'attaque FET GaN haute fréquence dans une configuration en demi-pont.

Les FET GaN offrent des avantages significatifs pour la conversion de puissance, car ils affichent un recouvrement inverse proche de zéro et une très faible capacité d'entrée C_ISS. Tous les dispositifs sont montés sur une plateforme à boîtier sans fils de connexion avec un nombre réduit d'éléments parasites de boîtier. Le dispositif LMG5200 est disponible dans un boîtier sans plomb de 6 mm x 8 mm x 2 mm et il peut être facilement monté sur une carte à circuit imprimé.

Les entrées compatibles avec la logique TTL peuvent supporter des tensions d'entrée jusqu'à 12 V, quelle que soit la tension V_CC. La technique propriétaire de fixation du niveau de tension auto-élévatrice garantit que les tensions de grille des FET GaN à mode d'enrichissement se trouvent dans une plage de fonctionnement sécurisée.

Le dispositif renforce les avantages des FET GaN discrets en offrant une interface plus facile à utiliser. Il s'agit d'une solution idéale pour les applications exigeant un fonctionnement haute fréquence et à haut rendement dans un format compact. Lorsqu'il est utilisé avec le contrôleur TPS53632G, le LMG5200 permet une conversion directe de 48 V en tensions de point de charge (0,5 V à 1,5 V).