Étage de puissance en demi-pont GaN de 100 V, 35 A LMG2100R044

Le dispositif LMG2100R044 de Texas Instruments est un étage de puissance en demi-pont hautes performances, de 100 V, 35 A, qui intègre deux transistors FET GaN en mode d'enrichissement de 4,4 mΩ et un circuit d'attaque haute vitesse. Conçu pour une conversion de puissance à haut rendement et haute densité, ce dispositif est idéal pour les applications nécessitant une commutation rapide, de faibles pertes et des configurations de circuits imprimés compactes.

Avec une tension nominale continue de 90 V et d'impulsion de 100 V, le LMG2100R044 prend en charge une commutation à vitesse de balayage élevée avec une oscillation minimale, ce qui le rend adapté aux systèmes de distribution d'énergie exigeants. Son circuit d'attaque intégré simplifie la conception et réduit le nombre de composants, tandis que le boîtier compact améliore les performances thermiques et la souplesse d'implantation.

Ce dispositif prend en charge les niveaux logiques de 3,3 V et 5 V et fonctionne avec une alimentation de polarisation externe de 5 V. Il est optimisé pour les topologies synchrones de type abaisseur, élévateur et demi-pont dans des applications telles que les télécommunications, les communications de données et les alimentations industrielles.