Circuit d'attaque de grille simple 4 A à isolation galvanique STGAP2SICSN pour MOSFET SiC

Le circuit d'attaque de grille monocanal à isolation galvanique STGAP2SICSN de STMicroelectronics, pour transistors de puissance au carbure de silicium, est livré dans un boîtier standard SO8. Il offre un circuit d'attaque isolé et adapté au carbure de silicium dans une petite empreinte exploitant la dernière technologie d'isolation galvanique, permettant ainsi la déclaration d'une surtension transitoire de 4,8 kV. Le circuit d'attaque de grille est caractérisé par une capacité de 4 A, et peut supporter un rail haute tension jusqu'à 1700 V. L'immunité aux transitoires dv/dt est de ±100 V/ns sur la plage complète des températures, ce qui garantit une robustesse remarquable contre les transitoires de tension.

Le dispositif est disponible en deux configurations. Elles offrent une grande flexibilité et une nomenclature optimisée pour les composants externes en fonction de la stratégie du projet. La première option comporte des broches de sortie séparées afin d'optimiser l'activation et la désactivation indépendantes en utilisant des résistances indépendantes. La deuxième configuration présente une seule broche de sortie et une fonction de fixation de Miller, permettant d'éviter les pointes de grille durant la commutation rapide dans les topologies en demi-pont.

Les entrées logiques compatibles CMOS/TTL jusqu'à 3,3 V assurent un interfaçage simple avec les microcontrôleurs et les périphériques DSP. Le circuit d'attaque STGAP2SICSN permet aux utilisateurs de concevoir des systèmes hautement fiables grâce à des fonctions de protection intégrées, telles que le verrouillage en cas de sous-tension (UVLO) avec valeur optimisée pour les MOSFET SiC, et l'arrêt thermique ; ceci réduit les sorties du circuit d'attaque pour créer une impédance élevée dans le demi-pont lorsque la température de jonction atteint un seuil défini.

Un mode veille est disponible pour réduire la consommation d'énergie au repos. Le dispositif STGAP2SICSN convient aux applications de moyenne et haute puissance dans les applications industrielles et de conversion de puissance. Le dispositif STGAP2SICSN est livré dans un boîtier SO8N.