Transistors LDMOS de puissance RF

Les transistors de STMicroelectronics présentent un rendement très élevé, des coûts d'exploitation réduits et une dissipation thermique moindre

Image des transistors LDMOS de puissance RF de STMicroelectronicsLes transistors LDMOS de puissance RF de 28 V, 32 V et 50 V de STMicroelectronics présentent un rendement très élevé, des coûts d'exploitation réduits et une dissipation thermique moindre, ce qui permet de mettre en place des solutions de refroidissement plus simples et moins coûteuses et des systèmes plus compacts. Conçues pour augmenter la capacité de saturation de puissance du transistor, en minimisant la distorsion à des niveaux de puissance plus élevés, les dernières technologies LDMOS de 28 V et 50 V de STMicroelectronics offrent des performances RF améliorées (+3 dB, rendement de +15 %), ainsi que des caractéristiques de robustesse et de fiabilité.

Fonctionnalités
  • Opérations à rendement et à gain linéaire élevés
  • Protection DES intégrée
  • Adaptation en interne pour une simplicité d'utilisation
  • Large plage de tensions grille-source positives et négatives pour un fonctionnement de classe C amélioré
  • Conformité à la directive européenne 2002/95/CE
Applications
  • Télécommunications et communications par satellite
  • Avionique et radars
  • Militaire
  • ISM et diffusion

RF Power LDMOS Transistors

ImageRéférence fabricantDescriptionGainTension - TestCourant nominal (A)Quantité disponiblePrixAfficher les détails
RF MOSFET LDMOS 28V B4ERF2L16180CB4RF MOSFET LDMOS 28V B4E14dB28 V1µA30 - Immédiatement$148.46Afficher les détails
RF MOSFET LDMOS 28V B2RF2L36075CF2RF MOSFET LDMOS 28V B212,5dB28 V1µA0 - ImmédiatementSee Page for PricingAfficher les détails
RF MOSFET LDMOS 28V LBBRF3L05250CB4RF MOSFET LDMOS 28V LBB18dB28 V1µA1 - Immédiatement$165.79Afficher les détails
RF MOSFET LDMOS 50V B4ERF5L08350CB4RF MOSFET LDMOS 50V B4E19dB50 V1µA13 - Immédiatement$148.46Afficher les détails
Date de publication : 2021-08-11