Transistors LDMOS de puissance RF
Les transistors de STMicroelectronics présentent un rendement très élevé, des coûts d'exploitation réduits et une dissipation thermique moindre
Les transistors LDMOS de puissance RF de 28 V, 32 V et 50 V de STMicroelectronics présentent un rendement très élevé, des coûts d'exploitation réduits et une dissipation thermique moindre, ce qui permet de mettre en place des solutions de refroidissement plus simples et moins coûteuses et des systèmes plus compacts. Conçues pour augmenter la capacité de saturation de puissance du transistor, en minimisant la distorsion à des niveaux de puissance plus élevés, les dernières technologies LDMOS de 28 V et 50 V de STMicroelectronics offrent des performances RF améliorées (+3 dB, rendement de +15 %), ainsi que des caractéristiques de robustesse et de fiabilité.
- Opérations à rendement et à gain linéaire élevés
- Protection DES intégrée
- Adaptation en interne pour une simplicité d'utilisation
- Large plage de tensions grille-source positives et négatives pour un fonctionnement de classe C amélioré
- Conformité à la directive européenne 2002/95/CE
- Télécommunications et communications par satellite
- Avionique et radars
- Militaire
- ISM et diffusion
RF Power LDMOS Transistors
| Image | Référence fabricant | Description | Gain | Tension - Test | Courant nominal (A) | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | RF2L16180CB4 | RF MOSFET LDMOS 28V B4E | 14dB | 28 V | 1µA | 30 - Immédiatement | $148.46 | Afficher les détails |
![]() | ![]() | RF2L36075CF2 | RF MOSFET LDMOS 28V B2 | 12,5dB | 28 V | 1µA | 0 - Immédiatement | See Page for Pricing | Afficher les détails |
![]() | ![]() | RF3L05250CB4 | RF MOSFET LDMOS 28V LBB | 18dB | 28 V | 1µA | 1 - Immédiatement | $165.79 | Afficher les détails |
![]() | ![]() | RF5L08350CB4 | RF MOSFET LDMOS 50V B4E | 19dB | 50 V | 1µA | 13 - Immédiatement | $148.46 | Afficher les détails |




