MOSFET MDmesh™ 600 V à 650 V gamme M9

Les MOSFET de STMicroelectronics permettent d'augmenter les niveaux de puissance et la densité de puissance pour des solutions plus compactes

Image des MOSFET 600 V à 650 V MDmesh™ gamme M9 de STMicroelectronicsLa technologie M9 basée sur silicium de STMicroelectronics bénéficie d'un processus de fabrication à drains multiples qui permet d'améliorer la structure du dispositif. Le produit qui en résulte présente l'une des plus faibles résistances à l'état passant et une charge de grille réduite parmi tous les MOSFET de puissance à superjonction à commutation rapide à base de silicium, ce qui le rend particulièrement adapté aux applications qui exigent une densité de puissance supérieure et un rendement énergétique exceptionnel.

Fonctionnalités
  • Meilleur facteur de mérite (RDS(ON) x Qg) actuellement sur le marché
  • Actuellement le meilleur RDS(ON) de l'industrie sur une plage de tension de 650 V
  • Qg le plus bas
  • Robustesse dv/dt de diode inverse et dv/dt de MOSFET plus grande
Avantages
  • Niveaux de puissance plus élevés
  • Densité de puissance accrue et pertes par conduction réduites
  • Rendement élevé et faibles pertes par effet joule
  • Vitesse de commutation élevée
  • Robustesse et fiabilité accrues pour des conceptions plus compactes

MDmesh™ M9 Family 600 V to 650 V MOSFETs

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
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Date de mise à jour : 2026-01-20
Date de publication : 2023-03-09