MASTERGAN1 en demi-pont haute densité de puissance

Le circuit d'attaque haute tension en demi-pont à haute densité de puissance de STMicroelectronics comprend deux transistors HEMT GaN en mode d'enrichissement de 650 V

Image du demi-pont à densité de puissance élevée MASTERGAN1 de STMicroelectronicsLe dispositif MASTERGAN1 de STMicroelectronics est le premier circuit d'attaque en demi-pont de 600 V au monde avec un système en boîtier (SiP) HEMT GaN et le premier élément de la plateforme MASTERGAN. Le MASTERGAN1 est compact, ce qui permet de mettre en œuvre une alimentation à haute densité de puissance, même quatre fois plus petite que l'alimentation basée sur des commutateurs MOSFET, grâce à une fréquence de commutation plus élevée de la technologie GaN et à une intégration élevée du circuit d'attaque et de deux commutateurs GaN dans le même boîtier. Il se caractérise également par sa robustesse. Le circuit d'attaque hors ligne est optimisé pour les transistors HEMT GaN en vue d'un pilotage rapide, efficace et sûr, et d'une simplification de la configuration. La gestion des commutateurs GaN discrets peut être difficile, mais le circuit d'attaque embarqué gère les commutateurs GaN pour simplifier la conception de l'alimentation.

Fonctionnalités
  • SiP de puissance intégrant un circuit d'attaque en demi-pont et des transistors GaN
  • Coûts de nomenclature réduits
  • Efficacité
  • Robustesse
  • Disposition simplifiée de la carte
  • Entrées compatibles de 3,3 V à 20 V
  • Tension de la broche d'entrée compatible avec une large plage de tensions et indépendante par dispositif VCC
  • Fonction de verrouillage
  • Gestion automatique de la situation de verrouillage
Applications
  • Alimentations à découpage
  • Chargeurs et adaptateurs
  • Correction du facteur de puissance (PFC) haute tension
  • Convertisseurs CC/CC et CC/CA
  • Systèmes d'alimentation secourue
  • Énergie solaire

MASTERGAN1 High Power Density Half-Bridge

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Date de publication : 2020-09-30