Sélection de produits basés sur des diodes

Commutateurs à diode PIN haute puissance

Skyworks propose une série de commutateurs à diode PIN SPDT (unipolaires bidirectionnels) haute puissance en boîtier QFN compact offrant des performances et un rendement de pointe. Ces commutateurs sont conçus pour des applications qui incluent la transmission/réception et la commutation à sécurité intégrée pour les stations de base 5G TD-SCDMA LTE, les réseaux d'antennes actives, les stations de base microcellulaires et macrocellulaires, les radios mobiles terrestres et les systèmes de communications militaires.

Fonctionnalités

• Excellente tenue en puissance de 40 W à 120 W
• Faible perte d'insertion
• Isolement élevé
• Excellente linéarité sur une vaste plage de fréquences : 20 MHz à 5 GHz
• Faible consommation de courant CC

Le portefeuille de commutateurs à diode PIN haute puissance de Skyworks comprend une gamme de commutateurs avec un circuit d'attaque de convertisseur élévateur/commutation d'état intégré. Ces composants fonctionnent avec une alimentation simple de 5 V et une seule tension de commande TTL (0 V à 3 V) pour changer l'état de commutation. Le circuit d'attaque intégré minimise le nombre de composants externes, ce qui permet de réduire l'empreinte du circuit imprimé et de simplifier la conception et la mise en œuvre.

SKY12207-478LF

Commutateur RF

Circuit intégré de commutateur RF LTE, WiMax SPDT 4 GHz 50 Ω 16-QFN (4x4)

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SKY12208-478LF

Commutateur RF

Circuit intégré de commutateur RF SPDT 2,7 GHz 50 Ω 16-QFN (4x4)

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SKY12210-478LF

Commutateur RF

Circuit intégré de commutateur RF LTE, WiMax SPDT 4 GHz 50 Ω 16-QFN (4x4)

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SKY12212-478LF

Commutateur RF

Circuit intégré de commutateur RF LTE, WiMax SPDT 2,7 GHz 50 Ω 16-QFN (4x4)

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SKY12245-492LF

Commutateur RF

Circuit intégré de commutateur RF LTE SPDT 20-QFN (5x5)

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Diodes PIN

Les diodes PIN de Skyworks sont parmi les plus utilisées dans le monde. Leurs applications varient de la commutation RF dans des convertisseurs à faible bruit (LNB) de récepteurs, de télévisions et de satellites à des commandes de niveau automatique de télévision câblée en passant par des commandes à distance de porte de garage. Les diodes PIN de Skyworks sont idéales pour les commutateurs d'émission/réception ou les atténuateurs à faible distorsion et elles prennent en charge une variété d'applications dans les marchés automobile, militaire, médical, des infrastructures et de l'Internet des objets (IoT).

Fonctionnalités

• Faible capacité pour isolement élevé
• Faible résistance
• Faible distorsion

Les diodes PIN sont des diodes à trois couches, composées d'une anode hautement dopée (la couche « P ») et d'une cathode hautement dopée (la couche « N ») séparées par une couche intrinsèque pratiquement non dopée (la couche « I »). Sous l'effet d'une polarisation directe, les porteurs de charge des couches P et N sont contraints vers la couche I, ce qui réduit son impédance RF. Lorsqu'une tension de polarisation inverse est appliquée sur les diodes PIN, tous les porteurs de charges libres sont retirés de la couche I, ce qui entraîne une augmentation de son impédance RF. Cette impédance RF variable, à l'inverse d'un signal de polarisation CC ou basse fréquence, permet d'utiliser la diode dans des circuits de commutation RF, dans lesquels une forte polarisation directe ou inverse est appliquée à la diode PIN, ou dans des circuits d'atténuation RF, dans lesquels la diode PIN est utilisée comme une résistance RF variable en continu en contrôlant le niveau du courant de polarisation CC à travers la diode.

SMP1345-040LF

Diodes – RF

Commutateur SPDT à diode PIN
0,9 à 4,0 GHz 50 W haute puissance

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SMP1321-040LF

Diodes – RF

Commutateur SPDT à diode PIN
0,02 à 2,7 GHz 50 W haute puissance

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SMP1322-040LF

Diodes – RF

Commutateur SPDT à diode PIN 0,9 à 4,0 GHz, 100 W haute puissance

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SMP1302-085LF

Diodes – RF

Commutateur SPDT à diode PIN
0,05 à 2,70 GHz, 100 W haute puissance

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SMP1304-005LF

Diodes – RF

Commutateur SPDT à diode PIN compact, haute puissance, 0,3 à 5,0 GHz, 100 W avec circuit d'attaque intégré

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SMP1307-005LF

Diodes – RF

Diode PIN à faible distorsion/atténuateur IP3 élevé

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SMP1307-027LF

Diodes – RF

Diode PIN à faible distorsion/atténuateur IP3 élevé

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SMP1331-085LF

Diodes – RF

Diode PIN haute puissance/faible distorsion

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DSM8100-000

Diodes – RF

Diode PIN à sortie portante très basse capacité (< 0,025 pF) pour isolement élevé des commutateurs en bande X

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Diodes d'écrêtage

La série de diodes d'écrêtage au silicium de Skyworks fournit une protection de récepteur passif sur une large plage de fréquences s'étendant de 100 MHz à plus de 30 GHz. Ces dispositifs utilisent la technologie silicium éprouvée de Skyworks pour offrir des diodes d'écrêtage PIN à largeur de base fine à contrôle rigoureux et haute résistivité. Les circuits d'écrêtage utilisant ces dispositifs fonctionnent avec une action de limitation efficace et une faible perte.

Fonctionnalités

• Conceptions d'atténuation milieu de gamme haute puissance
• Contrôle rigoureux de largeur de base
• Les dispositifs SKY16601, SKY16602, SKY16603 représentent nos nouveaux modules d'écrêtage intégrés

La fonction de protection du récepteur est assurée par une diode PIN spécialement traitée, appelée diode d'écrêtage. La diode d'écrêtage PIN peut être décrite comme une résistance variable commandée en fonction d'un incident. En l'absence de grands signaux d'entrée, l'impédance de la diode d'écrêtage est à son maximum, ce qui entraîne une perte d'insertion minimale, typiquement inférieure à 0,5 dB. La présence d'un grand signal d'entrée force temporairement l'impédance de la diode à une valeur beaucoup plus basse, entraînant une désadaptation d'impédance qui reflète la majorité de la puissance du signal d'entrée vers sa source.

SMP1330-040LF

Diodes – RF

Limiteur d'atténuation pour protection de récepteur

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SMP1330-085LF

Diodes – RF

Diode d'écrêtage haute puissance à faible perte

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CLA4603-085LF

Diodes – RF

Diode d'écrêtage moyenne puissance à faible perte

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CLA4606-085LF

Diodes – RF

Diode d'écrêtage moyenne puissance à faible perte

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CLA4607-000

Diodes – RF

Diode de limitation d'amplitude pour protection de récepteur

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CLA4601-000

Diodes – RF

Limiteur d'atténuation pour protection de récepteur

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SKY16601-555LF

Diodes – RF

Module limiteur à diode PIN intégré à un étage, 0,50 à 6,0 GHz

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SKY16602-632LF

Diodes – RF

Module limiteur à diode PIN à faible seuil, 0,2 à 4,0 GHz

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SKY16603-632LF

Diodes – RF

Module limiteur à diode PIN double haute linéarité, 0,6 à 6,0 GHz

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Diodes Schottky

La série de diodes Schottky silicium et GaAs de Skyworks est optimisée pour une utilisation dans des applications de détecteur et de mélangeur à des fréquences s'étendant de 10 MHz à 40 GHz. Cette gamme de produits inclut des jonctions Schottky à hauteur de barrière de détection de polarisation moyenne, faible et nulle avec une faible capacité de jonction et une faible résistance série. Ces diodes sont disponibles en matrice, à sortie portante et en boîtiers en plastique à faible coût.

Fonctionnalités

• Faible capacité pour fonctionnement haute fréquence
• Excellente sensibilité
• Faible bruit
• Faible tension directe
• Haute tension de claquage inverse
• Capacité de commutation rapide

Une diode type combine des semi-conducteurs de type p et de type n pour former une jonction p-n. Dans une diode Schottky, le métal remplace le semi-conducteur de type p. La couche de type N est la cathode, celle de type P (Si uniquement) est l'anode. Ce métal peut varier du platine au tungstène, en passant par le molybdène, l'or, etc. Lorsque le métal est combiné avec un semi-conducteur de type n, une jonction métal-semi-conducteur est formée. Cette jonction est appelée « barrière Schottky ». Le comportement de la barrière Schottky diffère selon que la diode est dans un état non polarisé, polarisé dans le sens direct ou dans le sens inverse.

État non polarisé
À l'état non polarisé, les électrons libres passent du semi-conducteur de type n au métal pour établir l'équilibre. Ce flux d'électrons crée la barrière Schottky où les ions négatifs et positifs se rencontrent. Les électrons libres ont besoin d'une énergie supérieure à leur tension intégrée pour surmonter cette barrière.

État non polarisé dans le sens direct
Dans cet état, les électrons peuvent traverser la jonction entre le type n et le métal si la tension appliquée est supérieure à 0,25 V. Il en résulte un flux de courant qui est typique pour la plupart des diodes.

État non polarisé dans le sens inverse
Cet état étend la barrière Schottky et empêche la circulation du courant électrique. Cependant, si la tension de polarisation inverse continue à augmenter, cela peut finir par détruire la barrière. Cela permet au courant de circuler dans le sens inverse et peut endommager le composant.

SMS7621-079LF

Diodes – RF

Diodes Schottky de détecteur à faible barrière

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SMS7621-040LF

Diodes – RF

Diodes Schottky de détecteur à faible barrière

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SMS7621-005LF

Diodes – RF

Diodes Schottky de détecteur de paire en série

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SMS3923-081LF

Diodes – RF

Diode Schottky à usage général

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SMS7630-040LF

Diodes – RF

Diode Schottky de détecteur de polarisation nulle

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SMS3922-079LF

Diodes – RF

Diodes Schottky de détecteur à barrière moyenne

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SMS7630-079LF

Diodes – RF

Diode Schottky de détecteur de polarisation nulle

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Diodes varicap

La série de diodes varicap d'accord en silicium de Skyworks est utilisée comme élément d'accord électrique dans des oscillateurs commandés en tension (VCO), des déphaseurs analogiques à tension variable et des filtres accordés en tension (VTF). Cette gamme comprend des diodes varicap d'accord à jonction abrupte, utiles pour les circuits à bande étroite et à faible perte, et des diodes varicap à jonction hyper abrupte, utiles pour des filtres accordés en tension et des oscillateurs commandés en tension à large bande, et des déphaseurs analogiques à plage variable.

Fonctionnalités

• Changement important de la capacité disponible pour large bande passante
• Faible résistance pour faible perte

Les diodes varicap d'accord sont des diodes à jonction p-n. La zone de déplétion qui se forme à la jonction de la diode agit comme un isolant presque idéal, qui sépare l'anode hautement dopée de la couche de cathode, formant ainsi un condensateur plan. Il est possible d'augmenter l'épaisseur de la couche de déplétion en appliquant une tension de polarisation inverse à la diode.

SMV1232-079LF

Diodes - Capacité variable

Diode varicap d'accord à large bande

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SMV2019-040LF

Diodes - Capacité variable

Diode varicap d'accord à capacité variable

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SMV1247-040LF

Diodes - Capacité variable

Diode varicap d'accord à facteur Q élevé et basse capacité

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SMV1249-079LF

Diodes - Capacité variable

Diode à capacité moyenne et à large plage d'accord

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SMV1255-079LF

Diodes - Capacité variable

Diode à capacité élevée et à large plage d'accord

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SMV1405-040LF

Diodes - Capacité variable

Diode varicap à jonction abrupte et facteur Q ultra-élevé (3200) pour applications de filtre et VCO

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SMV1430-040LF

Diodes - Capacité variable

Diode d'accord à jonction abrupte et basse capacité (0,60 pF)

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SMV1801-079LF

Diodes - Capacité variable

Diode d'accord à jonction hyper abrupte et rapport élevé

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Cartes d'évaluation

SMP1302-085LF-EVB

Carte d'évaluation pour SMP1302-085LF

Diode PIN pour utilisation avec SMP1302-085LF

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SMP1307-027LF-EVB

Carte d'évaluation pour SMP1307

Diode PIN pour utilisation avec SMP1307-027LF

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SMP1330-085LF-EVB

Carte d'évaluation pour SMP1330

Diode PIN pour utilisation avec SMP1330-085LF

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CLA4603-085LF-EVB

Carte d'évaluation pour CLA4603

Diode PIN pour utilisation avec CLA4603-085LF

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CLA4606-085LF-EVB

Carte d'évaluation pour CLA4606

Diode PIN pour utilisation avec CLA4606-085LF

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CLA4609-086LF-EVB

Carte d'évaluation pour CLA4609-086LF

Diode PIN pour utilisation avec CLA4609-086LF

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