Solutions d'IGBT hautes performances RGA80TxX2EHRC

Les dispositifs RGA80TRX2EHRC15, RGA80TRX2HRC15, RGA80TSX2EHRC11 et RGA80TSX2HRC11 de ROHM Semiconductor sont des transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) hautes performances. Ces IGBT sont conçus pour offrir un rendement et une fiabilité supérieurs dans les applications automobiles et industrielles exigeantes. Avec une tension nominale de 1200 V et une tenue en courant de 69 A, ces IGBT intègrent la technologie de tranchées à champ limité (FS), qui garantit de faibles pertes de commutation et par conduction. La diode à recouvrement rapide (FRD) intégrée améliore les performances en réduisant le temps de recouvrement, ce qui fait de ces IGBT un choix idéal pour les applications nécessitant une commutation à haute vitesse. Avec une tolérance aux courts-circuits de 10 μs et une conformité aux normes AEC-Q101, ces IGBT offrent une durabilité et des performances robustes. Leur conception de boîtier compacte TO-247 facilite l'intégration dans divers systèmes, garantissant une gestion thermique optimale et un encombrement réduit.