MOSFET RA1C030LDT5CL

Le dispositif RA1C030LD de ROHM est proposé dans le boîtier WLCSP DSN1006-3 (1,0 mm x 0,6 mm) qui tire parti du processus de circuit intégré propriétaire de ROHM pour obtenir une faible dissipation de puissance et une plus grande miniaturisation. En ce qui concerne le facteur de mérite qui exprime la relation entre les pertes par conduction et les pertes de commutation (résistance à l'état passant × Q_gd), une valeur inégalée dans l'industrie a été atteinte. Cette valeur est inférieure de 20 % à celle des produits à conditionnement standard dans le même boîtier (1,0 mm x 0,6 mm ou moins), ce qui contribue à réduire considérablement la surface de carte et à améliorer le rendement de divers dispositifs compacts. En même temps, la structure unique du boîtier de ROHM fournit une protection isolante pour les parois latérales (contrairement aux produits standard dans le même boîtier sans protection). Cela réduit le risque de courts-circuits dus au contact entre les composants dans les dispositifs compacts qui doivent recourir à un montage haute densité en raison de contraintes d'espace, contribuant ainsi à un fonctionnement plus sûr.