Circuits intégrés d'étage de puissance EcoGaN™

Le circuit intégré d'étage de puissance de ROHM intègre un GaN HEMT 650 V et un circuit d'attaque de grille. Ces dispositifs sont parfaits pour les alimentations principales dans les applications industrielles et grand public telles que les serveurs de données et les adaptateurs secteur. Les secteurs industriel et grand public exigent de plus grandes économies d’énergie pour parvenir à une société durable. Cependant, même si les HEMT GaN doivent contribuer de manière significative à une plus grande miniaturisation et à un meilleur rendement de conversion de puissance, la difficulté de manipulation de la grille par rapport aux MOSFET au silicium nécessite l'utilisation d'un circuit d'attaque de grille dédié. En réponse, ROHM a développé des circuits intégrés d'étage de puissance qui intègrent des HEMT GaN et des circuits d'attaque de grille dans un seul boîtier en tirant parti des technologies de puissance et analogiques de base, facilitant ainsi considérablement le montage.