Contrôleurs quasi résonnants BD768xFJ-LB conçus pour commander des MOSFET SiC

Les MOSFET au carbure de silicium (SiC) SCT2H12NZ et les contrôleurs quasi résonnants BD768xFJ-LB de ROHM se combinent pour augmenter le rendement de puissance dans les alimentations à découpage

Image du contrôleur quasi résonnant BD768xFJ-LB et du MOSFET SiC de Rohm SemiconductorContrôleur quasi résonnant BD768xFJ-LB

Le BD768xFJ-LB de ROHM, un convertisseur CC/CC à contrôle quasi résonnant et faible bruit, constitue un système optimal pour tous les produits incluant une prise électrique. Le fonctionnement quasi-résonnant permet une commutation douce et contribue à maintenir de faibles interférences électromagnétiques (EMI). Le haut degré de flexibilité de conception est possible en utilisant des transistors MOSFET de commutation et des résistances de détection du courant en tant que dispositifs externes.

La fonction de microcoupure intégrée surveille la tension d'entrée dans le cadre de l'optimisation du système. La fonction de mode rafale permet de réduire la puissance d'entrée à faible puissance. La série BD768xFJ-LB inclut différentes fonctions de protection, notamment une fonction de démarrage progressif, une fonction de rafale, une fonction de limitation de surintensité par cycle, une fonction de protection contre la surtension, une fonction de protection contre la surcharge et une fonction de microcoupure.

La série BD768xFJ-LB inclut un circuit de blocage de grille pour une commande optimale des MOSFET au carbure de silicium (SiC).

Avec une garantie de prise en charge longue durée, cette série est idéale pour les applications industrielles haute tension, y compris les appareils électroménagers, les adaptateurs CA et les équipements industriels.

Fonctionnalités
  • Boîtier SOP-J8 à 8 broches (6,00 mm × 4,90 mm : pas de 1,27 mm)
  • Type quasi-résonnant (faibles EMI)
  • Mode de réduction de la fréquence
  • Faible consommation de courant (19 μA) en veille
  • Faible consommation de courant à vide (fonctionnement en rafale à faible charge)
  • Fréquence maximale (120 kHz)
  • Blocage de front montant de broche CS
  • Protection UVLO (verrouillage en cas de sous-tension) VCC
  • Protection contre la surtension VCC
  • Circuit de protection contre la surintensité par cycle
  • Démarrage progressif
  • Fonction de masque de déclenchement ZT
  • Fonction de protection de tension (microcoupure)
  • Protection contre la surtension ZT
  • Circuit de blocage de grille

MOSFET de puissance SiC SCT2H12NZ

MOSFET à canal N 1700 V, 3,7 A, 1,15 Ω au carbure de silicium SCT2H12NZ de ROHM

Les applications incluent les alimentations auxiliaires et les alimentations à découpage.

Fonctionnalités
  • Faible résistance à l'état passant
  • Haute vitesse de commutation
  • Longue ligne de fuite
  • Commande simple
  • Placage sans plomb, conformité à RoHS

Evaluation Board

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
EVAL BOARD FOR BD7682BD7682FJ-LB-EVK-402EVAL BOARD FOR BD76821 - Immédiatement$376.39Afficher les détails

BD768xFJ-LB Quasi-Resonant Controllers

ImageRéférence fabricantDescriptionTopologieQuantité disponiblePrixAfficher les détails
IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8SOPJBD7682FJ-LBE2IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8SOPJIndirect4507 - Immédiatement$1.98Afficher les détails

SCT2H12NZ N-Channel SiC Power MOSFET

ImageRéférence fabricantDescriptionCourant - Drain continu (Id) à 25°CQuantité disponiblePrixAfficher les détails
SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFMSCT2H12NZGC11SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM3,7 A (Tc)621 - Immédiatement$5.91Afficher les détails
Date de publication : 2016-01-28