Contrôleurs quasi résonnants BD768xFJ-LB conçus pour commander des MOSFET SiC
Les MOSFET au carbure de silicium (SiC) SCT2H12NZ et les contrôleurs quasi résonnants BD768xFJ-LB de ROHM se combinent pour augmenter le rendement de puissance dans les alimentations à découpage
Contrôleur quasi résonnant BD768xFJ-LB
Le BD768xFJ-LB de ROHM, un convertisseur CC/CC à contrôle quasi résonnant et faible bruit, constitue un système optimal pour tous les produits incluant une prise électrique. Le fonctionnement quasi-résonnant permet une commutation douce et contribue à maintenir de faibles interférences électromagnétiques (EMI). Le haut degré de flexibilité de conception est possible en utilisant des transistors MOSFET de commutation et des résistances de détection du courant en tant que dispositifs externes.
La fonction de microcoupure intégrée surveille la tension d'entrée dans le cadre de l'optimisation du système. La fonction de mode rafale permet de réduire la puissance d'entrée à faible puissance. La série BD768xFJ-LB inclut différentes fonctions de protection, notamment une fonction de démarrage progressif, une fonction de rafale, une fonction de limitation de surintensité par cycle, une fonction de protection contre la surtension, une fonction de protection contre la surcharge et une fonction de microcoupure.
La série BD768xFJ-LB inclut un circuit de blocage de grille pour une commande optimale des MOSFET au carbure de silicium (SiC).
Avec une garantie de prise en charge longue durée, cette série est idéale pour les applications industrielles haute tension, y compris les appareils électroménagers, les adaptateurs CA et les équipements industriels.
- Boîtier SOP-J8 à 8 broches (6,00 mm × 4,90 mm : pas de 1,27 mm
) - Type quasi-résonnant (faibles EMI)
- Mode de réduction de la fréquence
- Faible consommation de courant (19 μA) en veille
- Faible consommation de courant à vide (fonctionnement en rafale à faible charge)
- Fréquence maximale (120 kHz)
- Blocage de front montant de broche CS
- Protection UVLO (verrouillage en cas de sous-tension) VCC
- Protection contre la surtension VCC
- Circuit de protection contre la surintensité par cycle
- Démarrage progressif
- Fonction de masque de déclenchement ZT
- Fonction de protection de tension (microcoupure)
- Protection contre la surtension ZT
- Circuit de blocage de grille
MOSFET de puissance SiC SCT2H12NZ
MOSFET à canal N 1700 V, 3,7 A, 1,15 Ω au carbure de silicium SCT2H12NZ de ROHM
Les applications incluent les alimentations auxiliaires et les alimentations à découpage.
- Faible résistance à l'état passant
- Haute vitesse de commutation
- Longue ligne de fuite
- Commande simple
- Placage sans plomb, conformité à RoHS
Evaluation Board
Image | Référence fabricant | Description | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
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![]() | ![]() | BD7682FJ-LB-EVK-402 | EVAL BOARD FOR BD7682 | 1 - Immédiatement | $376.39 | Afficher les détails |
BD768xFJ-LB Quasi-Resonant Controllers
Image | Référence fabricant | Description | Topologie | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
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![]() | ![]() | BD7682FJ-LBE2 | IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8SOPJ | Indirect | 4507 - Immédiatement | $1.98 | Afficher les détails |
SCT2H12NZ N-Channel SiC Power MOSFET
Image | Référence fabricant | Description | Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
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![]() | ![]() | SCT2H12NZGC11 | SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM | 3,7 A (Tc) | 621 - Immédiatement | $5.91 | Afficher les détails |