Transistors HEMT GaN 650 V

Les transistors HEMT 650 V en nitrure de gallium (GaN) GNP1070TC-Z et GNP1150TCA-Z de ROHM sont optimisés pour une large gamme d'applications de systèmes d'alimentation. Ces produits sont développés conjointement avec Ancora Semiconductors Inc., une filiale de Delta Electronics Inc., qui développe des dispositifs GaN.

L'amélioration du rendement des alimentations et des moteurs, qui représentent la majeure partie de la consommation mondiale d'électricité, est devenue un défi important à la réalisation d'une société décarbonée. L'adoption de nouveaux matériaux tels que le GaN et le SiC est essentielle pour améliorer le rendement des alimentations.

Après avoir lancé la production de masse de transistors HEMT GaN 150 V avec une tension de claquage de grille de 8 V en 2022, ROHM a établi en mars 2023 une technologie de circuits intégrés de contrôle pour maximiser les performances du GaN. Cette fois, ROHM a développé des transistors HEMT GaN 650 V dotés de performances de pointe qui contribuent à un rendement supérieur et à une taille plus compacte dans une plus large gamme de systèmes d'alimentation.