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Modules, MOSFET et diodes en carbure de silicium (SiC) de 1200 V
ROHM présente sa nouvelle génération de modules et de dispositifs de puissance SiC pour des économies d'énergie supérieures dans de nombreuses applications
Le carbure de silicium s'impose progressivement comme le candidat plus viable dans la recherche d'un élément à faibles pertes nouvelle génération, en raison de sa faible résistance à l'état passant et de ses caractéristiques supérieures à hautes températures.ROHM est en train de développer des modules et des dispositifs de puissance SiC pour des économies d'énergie supérieures dans de nombreuses applications, allant des onduleurs haut rendement dans les convertisseurs CC/CA pour les alimentations à énergie solaire/éolienne et les véhicules électriques et hybrides, aux onduleurs de puissance pour les climatiseurs et les équipements industriels.
| Fonctionnalités | Applications | |
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1200 V Silicon Carbide SiC Diodes
| Image | Référence fabricant | Description | Quantité disponible | Prix | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | SCT2450KEC | SICFET N-CH 1200V 10A TO247 | 0 - Immédiatement | $3.54 | Afficher les détails |
| | SCT2280KEC | SICFET N-CH 1200V 14A TO247 | 0 - Immédiatement | $4.47 | Afficher les détails |
| | SCT2160KEC | SICFET N-CH 1200V 22A TO247 | 0 - Immédiatement | $7.03 | Afficher les détails |
| | SCT2080KEC | SICFET N-CH 1200V 40A TO247 | 0 - Immédiatement | $12.42 | Afficher les détails |
| | SCH2080KEC | SICFET N-CH 1200V 40A TO247 | 0 - Immédiatement | See Page for Pricing | Afficher les détails |
|  | BSM120D12P2C005 | MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE | 2 - Immédiatement | $318.89 | Afficher les détails |
| | BSM180D12P2C101 | MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE | 1 - Immédiatement | $460.05 | Afficher les détails |
Date de publication : 2015-07-06
