Modules MRAM séries M1000/M3000

La mémoire MRAM non volatile haute vitesse, hautes performances de Renesas offre une fiabilité supérieure

Image des modules MRAM séries M1000/M3000 de RenesasLa gamme MRAM de RAM non volatile haute vitesse et hautes performances de 108 MHz de Renesas offre une meilleure fiabilité et une conservation des données supérieure à 20 ans. Elle ne nécessite pas de batteries de secours ou de condensateurs contrairement à la SRAM non volatile. Le module M30xx prend en charge les interfaces Quad SPI SDR et DDR, fonctionne de -40°C à +105°C (version industrielle plus) et est disponible en boîtier SOIC ou WSON. Les dispositifs MRAM conviennent idéalement aux applications de mémoire non volatile à grande vitesse, telles que le stockage de programmes et la sauvegarde de données.

Fonctionnalités
  • Mémoire non volatile
  • Haute endurance : > 10E16 cycles
  • Longue conservation des données : >20 ans
  • Lecture et écriture rapides, pas d'attente d'écriture
  • Protection des données avec le mode de protection matérielle (HPM), le mode NVM spécial programmable/verrouillable par l'utilisateur et mode de protection logicielle (SPM)
  • Aucune batterie de secours n'est nécessaire
  • Utilisation de la technologie pMTJ STT-MRAM avancée
  • Densité de mémoire : 4 Mo à 16 Mo
  • Interface Quad SPI haute vitesse, jusqu'à 108 MHz en mode SDR
  • Plus faible taux de lecture et d'écriture actif actuel
  • NVM indépendant de 256 octets verrouillable et programmable par l'utilisateur
  • Plage de températures de fonctionnement industrielles : −40°C à +105°C
  • Tension d'alimentation : 1,8 V, 3 V
  • Boîtiers : SOIC à 8 broches et WSON à 8 sorties
Applications
  • Automatisation et commandes industrielles
  • Dispositifs médicaux
  • Dispositifs corporels
  • Systèmes réseau
  • Stockage/RAID
  • Automobile

MRAM Microcontroller

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MRAM Evaluation Board

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Date de publication : 2020-06-17