Transistor RF GaN 15 W avec adaptation d'entrée QPD1014A

Le transistor RF GaN sur SiC 15 W QPD1014A de Qorvo fonctionne de 30 MHz à 1200 MHz avec une adaptation d'entrée de 50 Ω, une alimentation de 50 V et un haut rendement (~70 % PAE)

Image du transistor RF GaN 15 W avec adaptation d'entrée QPD1014A de QorvoLe transistor à haute mobilité électronique (HEMT) GaN sur SiC discret QPD1014A de Qorvo est conçu pour les applications de puissance RF qui nécessitent un haut rendement et des performances large bande. Fonctionnant de 30 MHz à 1200 MHz, il fournit une puissance de sortie jusqu'à 15 W (P3dB) sur une alimentation de 50 V. Le dispositif est doté d'un réseau d'adaptation d'entrée intégré pour une conception simplifiée et des performances constantes dans toute la bande.

Son boîtier à faible résistance thermique et son empreinte DFN compacte de 6 mm × 5 mm le rendent adapté aux conceptions à espace restreint. Ce transistor prend en charge le fonctionnement à onde entretenue (CW) et le fonctionnement par impulsions, ce qui en fait une solution idéale pour les environnements exigeants comme les systèmes radars et de communication.

Fonctionnalités
  • Gamme de fréquences : 30 MHz à 1200 MHz
  • PAE (rendement en puissance ajoutée) typique : ~70 % à 1 GHz
  • Tension de fonctionnement : 50 V
  • Puissance de sortie (P3dB) : 12,5 W à 1 GHz
  • Adaptation d'entrée intégrée à 50 Ω
  • Boîtier CMS sans sorties de 6 mm × 5 mm à faible résistance thermique
  • Capacité de fonctionnement à onde entretenue (CW) et par impulsions
Applications
  • Systèmes radars militaires et civils
  • Communications radio mobiles terrestres et militaires
  • Amplificateurs de puissance RF à large bande et à bande étroite
  • Systèmes de guerre électronique de brouillage
  • Instruments de test nécessitant une sortie RF haute puissance

QPD1014A 15 W GaN RF Input-Matched Transistor

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Date de publication : 2025-12-04