Qorvo

Transistor GaN 25 W à entrée RF adaptée QPD1004A

Les transistors de Qorvo sont conçus avec une technologie GaN-sur-SiC de 30 MHz à 1200 MHz et 50 V pour les applications de puissance RF à large bande

<img src="//sc-a.digikeyassets.com/-/media/Images/Product%20Highlights/Q/Qorvo/QPD1004A%2025%20W%20GaN%20RF%20Input%20Matched%20Transistor/qorvo-qpd1004a-200.jpg?la=en&ts=f1a7ffc2-954c-49f5-b340-95c1d0b2cceb" class="right"" _languageinserted="true" alt="Image du transistor RF GaN 25 W avec adaptation d'entrée QPD1004A de Qorvo" />Le dispositif QPD1004A de Qorvo est un HEMT GaN-sur-SiC discret conçu pour les applications de puissance RF nécessitant un rendement élevé et des performances à large bande. Fonctionnant de 30 MHz à 1200 MHz, il délivre une puissance de sortie jusqu'à 40 W à 1 GHz avec un rendement de puissance ajoutée (PAE) typique de 73 %. Le dispositif intègre un réseau d'adaptation d'entrée pour une impédance de 50 Ω, qui simplifie la conception et réduit le nombre de composants externes.

Logé dans un boîtier CMS sans broches compact de 6 mm × 5 mm, le QPD1004A prend en charge à la fois le fonctionnement en onde continue (CW) et le fonctionnement pulsé. Son boîtier à faible résistance thermique améliore la fiabilité en conditions exigeantes, ce qui en fait un choix adapté aux systèmes radar, de communication et d'instrumentation de test.

Fonctionnalités
  • Gamme de fréquences : 30 MHz à 1200 MHz
  • Puissance de sortie (P3dB) : 40 W à 1 GHz
  • Gain linéaire typique : 20,8 dB à 1 GHz
  • PAE typique : 73 % à 1 GHz
 
  • Tension de fonctionnement : 50 V
  • Entrée RF adaptée à 50 Ω
  • Faible résistance thermique : boîtier CMS 6 mm x 5 mm
  • Prise en charge du fonctionnement en continu et pulsé
Applications
  • Systèmes radar militaires et civils
  • Communications radio mobiles terrestres et militaires
  • Amplificateurs de puissance RF à large bande et à bande étroite
 
  • Instrumentation de test et de mesure
  • Systèmes de contre-mesures électroniques (CEM) et de brouillage

QPD1004A 25 W GaN RF Input-Matched Transistor

ImageRéférence fabricantDescriptionTechnologiesQuantité disponiblePrixAfficher les détails
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Date de publication : 2025-12-03