Contrôleur flyback résonant à haut rendement
Le contrôleur flyback de PANJIT est idéal pour de nombreuses applications telles que les adaptateurs secteur et l'alimentation auxiliaire
Le contrôleur flyback résonant de PANJIT intègre un MOSFET haut potentiel de 650 V/4 A 1,2 Ω dans son boîtier. Contrairement au circuit d'amortissement passif (amortisseur avec perte) utilisé dans les systèmes flyback traditionnels, ce contrôleur flyback utilise un circuit d'amortissement actif (amortisseur sans perte) pour utiliser plus efficacement l'énergie supplémentaire (inductance de fuite et composants parasites) dans le système flyback (recyclage d'énergie).
Grâce à cette stratégie de contrôle unique, les deux commutateurs du système (MOSFET haut potentiel et MOSFET bas potentiel) sont presque toujours à commutation au zéro de la tension (ZVS). Par conséquent, les pertes de commutation des commutateurs peuvent être minimisées et le rendement optimisé. De plus, en utilisant des dispositifs d'alimentation SJMOS et les matériaux communs du système flyback traditionnel, il est possible de réaliser facilement un système d'alimentation flyback à haut rendement et haute densité de puissance. Ce contrôleur flyback résonant peut également être utilisé en conjonction avec du GaN ou du SiC afin de répondre aux exigences de conception de systèmes d'alimentation à plus haute fréquence.
- MOSFET haut potentiel intégré
- Commutation au zéro de la tension (ZVS) pour les commutateurs bas potentiel et haut potentiel
- Rendement et densité de puissance optimaux
- Applications d'alimentation de 30 W à moins de 150 W
- Convient aux applications GaN ou SiC
- Consommation à vide ultrafaible : < 30 mW
- Chargeurs USB-C PD
- Adaptateurs secteur
- Alimentation auxiliaire
High-Efficiency Resonant Flyback Controller
| Image | Référence fabricant | Description | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | DRFLYBACK-A_R2_00301 | DR. FLYBACK,TSSOP-18,BRIDGE CONT | 2500 - Immédiatement | $2.37 | Afficher les détails |



