Transistors MOSFET CSP séries FJ3P02100L et FK3P02110L

Conception pastille unique et technologie de section de drain

Image des transistors de puissance MOSFET CSP séries FJ3P02100L et FK3P02110L de PanasonicLes transistors de puissance MOSFET CSP de Panasonic sont fournis en boîtier PMCP présentant une conception pastille unique et une technologie de section de drain. Cela permet une amélioration de 5 % de la dissipation thermique, ainsi qu'une réduction du format de 80 % par rapport aux solutions conventionnelles. Les avancées en termes de technologies cellulaires et d'amincissement des plaquettes de Panasonic ont permis des puces avec des cellules à tranchées de 110 nm offrant une résistance à l'état passant RDS(on) 47 % inférieure par rapport à une puce traditionnelle de même taille. Grâce à cette technologie, cette série MOSFET atteint un rendement haute puissance avec une consommation d'énergie réduite.

Fonctionnalités Applications
  • Certification AEC-Q101
  • Format :
    • FJ3P02100L : 2,0 mm x 2,0 mm x 0,33 mm
    • FK3P02110L : 1,8 mm x 1,6 mm x 0,33 mm
  • Résistance RDS(on) :
    • FJ3P02100L : 9,5 mΩ à VGS=4,5 V(typique)
    • FK3P02110L : 12,5 mΩ à VGS=2,5 V(typique)
  • Perles de soudure sans plomb, sans halogène et certification RoHS
  • Lecteurs audio portables / Consoles de jeux / Combinés / Enregistreurs de circuits
  • Glucomètres / Prothèses auditives
  • Cartes CI
  • Compteurs
  • Adaptateurs
  • Smartphones / Tablettes / Livres électroniques
  • Serveurs / Routeurs


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Date de publication : 2013-07-02