MOSFET basse/moyenne tension série NTMFS4D
Les MOSFET à canal N optimisés série NTMFS4D d'onsemi, en boîtier DFN5 compact, sont parfaits pour les entraînements de moteurs, la protection des batteries et la conversion de puissance
Les MOSFET de puissance à canal N basse/moyenne tension série NTMFS4D d'
onsemi sont conçus pour les applications hautes performances telles que les entraînements de moteurs, la protection des batteries et le redressement synchrone. Ces dispositifs présentent des valeurs RDS(ON) faibles, à la pointe de l'industrie, jusqu'à 3,9 mΩ, minimisant les pertes par conduction et améliorant le rendement global du système. Avec des tensions nominales allant jusqu'à 80 V et une tenue en courant dépassant 100 A dans certaines variantes, la série NTMFS4D offre des performances robustes dans des boîtiers compacts DFN5 (5 mm x 6 mm), ce qui en fait un choix parfait pour les conceptions où l'espace est restreint.
Conçue avec un recouvrement de diode de substrat souple, et des caractéristiques de faible charge de grille, la série NTMFS4D réduit les pertes de commutation et les pics de tension, éliminant ainsi les besoins en circuits d'amortissement externes. Ces MOSFET sont conformes à la directive RoHS, sans halogène et optimisés pour des performances thermiques avec une résistance jonction-boîtier de seulement 3,5°C/W. Qu'elle soit utilisée dans des convertisseurs CC/CC isolés ou dans des contrôleurs de moteur à haut rendement, la série NTMFS4D offre aux concepteurs une solution fiable et efficace pour les applications de gestion de l'alimentation exigeantes.
- Haute tenue en courant : prend en charge des courants de drain continus jusqu'à 119 A selon la variante
- Boîtier compact : empreinte SO8FL DFN5 (5 mm x 6 mm) pour les conceptions où l'espace est restreint
- Diode de substrat à recouvrement souple : minimise les pics de tension et élimine les besoins en circuits d'amortissement externes
- Faible charge de grille (Qg) : réduit les pertes de commutation et les besoins du circuit d'attaque
- Faible RDS(ON): seulement 3,5 mΩ pour minimiser les pertes par conduction
- Large aire de sécurité (SOA) : garantit la fiabilité en conditions exigeantes
- Conformité RoHS et sans halogène : respectueux de l'environnement et conforme à la réglementation
- Rendement thermique : résistance thermique jonction-boîtier de seulement 3,5°C/W
- Entraînement de moteur : parfait pour les systèmes de commande moteur à haut rendement
- Circuits de protection de la batterie : assure un fonctionnement sûr et fiable de la batterie
- Redressement synchrone : utilisé dans les convertisseurs CC/CC et CA/CC pour un meilleur rendement
- Interrupteur primaire dans les convertisseurs CC/CC isolés : convient à la conversion de puissance dans les systèmes industriels et de télécommunications
- Gestion de l'alimentation dans les systèmes automobiles et industriels : prend en charge une fiabilité et des performances thermiques élevées
NTMFS4D Series Low/Medium Voltage MOSFETs
| Image | Référence fabricant | Description | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | NTMFS4D0N04XMT1G | MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL | 0 - Immédiatement | $0.59 | Afficher les détails |
![]() | ![]() | NTMFS4D5N08XT1G | MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE | 0 - Immédiatement | $0.74 | Afficher les détails |
![]() | ![]() | NTMFS4D0N08XT1G | T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL | 238 - Immédiatement | $1.65 | Afficher les détails |
![]() | ![]() | NTMFS4D2N10MDT1G | N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE | 192 - Immédiatement | $2.43 | Afficher les détails |
![]() | ![]() | NTMFS4D7N04XMT1G | POWER MOSFET, SINGL N-CHANNEL, S | 0 - Immédiatement | $0.81 | Afficher les détails |





