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MOSFET SiC NTH4L040N120M3S / NTHL022N120M3S
Les MOSFET SiC NTH4L040N120M3S et NTHL022N120M3S d'onsemi sont adaptés aux applications à commutation rapide
La gamme de MOSFET en carbure de silicium (SiC) d'onsemi, comprenant les MOSFET SiC et EliteSiC planar M3S 1200 V, est optimisée pour les applications à commutation rapide. La technologie planar fonctionne de manière fiable avec une commande en tension de grille négative et désactive les pics sur la grille. Cette gamme EliteSiC et SiC offre des performances optimales lorsqu'elle est commandée avec une attaque de grille de 18 V, mais fonctionne également bien avec une attaque de grille de 15 V.
Fonctionnalités
- NTH4L040N120M3S
- Valeur typique R.DS(on) = 40 mΩ à VGS = 18 V
- Charge de grille ultrafaible (QG(total) = 75 nC)
- Commutation haute vitesse avec faible capacité (COSS = 80 pF)
- Tests avalanche à 100 %
- Sans halogénures et conforme RoHS à l'exemption 7(a), interconnexion de deuxième niveau sans plomb (2LI)
- NTHL022N120M3S
- Valeur typique R.DS(on) = 22 mΩ à VGS = 18 V
- Charge de grille ultrafaible (QG(total) = 137 nC)
- Faible capacité de sortie effective (COSS = 146 pF)
- Tests avalanche à 100 %
- Sans halogénure et conforme RoHS à l'exemption 7(a), 2LI sans plomb
Applications
- Onduleurs solaires
- Stations de charge de véhicules électriques
- Alimentations secourues
- Systèmes de stockage d'énergie
- Alimentations à découpage (SMPS)
NTH4L040N120M3S/NTHL022N120M3S SiC MOSFETs
| Image | Référence fabricant | Description | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | NTH4L040N120M3S | SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI | 179 - Immédiatement 185400 - Stock usine | $15.13 | Afficher les détails |
|  | NTHL022N120M3S | SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI | 115 - Immédiatement 18000 - Stock usine | $19.29 | Afficher les détails |
Date de publication : 2023-10-13
France