NCD5700xDWR2G : circuits d'attaque de grille IGBT isolés à fort courant et à rendement élevé avec isolation galvanique interne

Les dispositifs NCD57000 et NCD57001 d'ON Semiconductor sont des circuits d'attaque IGBT monocanaux à courant élevé avec isolation galvanique interne, conçus pour un rendement et une fiabilité élevés des systèmes dans les applications à forte puissance. Le NCD57000 prend en charge des signaux de 5 V et 3,3 V côté entrée et une large plage de tensions de polarisation côté circuit d'attaque, y compris une tenue en tension négative. Le NCD57000 fournit une isolation galvanique > 5 kV_RMS (classement UL1577) et une capacité (tension de fonctionnement) > 1200 V_IORM. Le NCD57000 est disponible dans le boîtier SOIC-16 à corps large avec une ligne de fuite garantie de 8 mm entre l'entrée et la sortie afin de répondre aux exigences d'isolement de sécurité renforcées.

Parmi les fonctionnalités proposées figurent des entrées complémentaires, des sorties FAULT et READY à drain ouvert, une pince de Miller active, un verrouillage en cas de sous-tension (UVLO) précis, une protection DESAT et un arrêt progressif à DESAT. Le NCD5700 dispose également de sorties de circuit d'attaque haut et bas (OUTH et OUTL) séparées, afin de faciliter la conception du système.