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Pompe à chaleur
La pompe à chaleur est un moyen éprouvé de fournir un chauffage sûr et durable, alimenté par de l'électricité à faibles émissions, et constitue une technologie centrale dans la transition mondiale vers un chauffage sûr et durable. Cependant, l’objectif principal des pompes à chaleur est de fournir du chauffage, bien que les pompes à chaleur inversées puissent également fournir à la fois du chauffage et du refroidissement. En raison de leur capacité à récupérer la chaleur perdue et à élever la température à des niveaux plus pratiques, elles possèdent un potentiel important en matière d’économie d’énergie.
- Densité de puissance élevée avec une dissipation de puissance minimale, un rendement élevé et de faibles EMI
- Conception évolutive pour différentes mises à l'échelle de la puissance de la pompe auditive
- Conception et intégration robustes pour une longue durée de vie - protection contre les influences environnementales
- Downsizing -> ensemble d'onduleurs plus petit définissant l'ensemble de la conception
- Les IPM contiennent un étage de puissance d'onduleur, un circuit d'attaque de grille, un CTN (en option), une diode d'amorçage et des interrupteurs d'alimentation
- Le niveau de puissance est porté à 1-20 kW pour les variateurs CA à entrée monophasée et triphasée
- Cuivre à liaison directe (Direct Bonded Copper) :
- Conductivité thermique exceptionnelle : 24 W/mK (AL2O3) à 170 W/mK (ALN)
- Isolement parfait et aucune dégradation : > 20 kV/mm
- Énorme résistivité > 10 Ωcm à 20°C
- Large plage de température : -55°C à 850°C
- Boîtiers courants pour le remplacement du P2P
- SiC à l'intérieur pour une énorme amélioration du rendement
- Contrôleurs de pointe monophasés, totem-pôles ou PFC entrelacés pour augmenter le rendement
- PFC entrelacé FAN9673
- PFC entrelacé NCP1681
- PFC intégré
- Avantages :
- Amélioration du rendement et optimisation du facteur de puissance
- Réduction des chutes de tension et des pertes de courant
- Amélioration en réduisant les harmoniques et les fluctuations de tension
- Garantie du respect des normes, évitant ainsi les pénalités
Caractéristiques du MOSFET EliteSiC M3S
- Optimisation pour un fonctionnement à haute température
- Diodes : faible dépendance à la température de la résistance série
- MOSFET : recouvrement inverse stable en fonction de la température
- Capacités parasites améliorées pour les applications à haute fréquence et à haut rendement
- Grande matrice avec faible valeur RDS(on) disponible
IGBT FS7
- Les IGBT 1200 V Trench FS7 sont nouvellement utilisés et recommandés pour l'étage PFC d'un système de pompe à chaleur triphasé.
- Série R avec faible Vce(sat) = 1,37 V au courant nominal, à 25°C
- Boîtiers disponibles : TO-247-3L, TO-247-4L, QD3, puce nue
- PIM avec FS7 disponible
- Système monophasé - Unité extérieure
- Système monophasé - Unité intérieure
- Système triphasé - Unité extérieure
- Système triphasé - Unité intérieure
Système monophasé - Unité extérieure
Produits phares
NCP1681
Contrôleur PFC (correction du facteur de puissance) multimode (CrM-CCM) / mode de conduction continue (CCM) totem-pôle
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FAN9673
Contrôleur de facteur de puissance en mode de conduction continue (CCM), trois canaux entrelacés
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NCP1654
Contrôleur de correction du facteur de puissance en mode de conduction continue (CCM)
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NCP1655
Contrôleur de correction du facteur de puissance multimode (CrM-CCM), protection contre les coupures de courant
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FGHL50T65LQDTL4
IGBT à faible valeur Vce(sat) 650 V et 50 A FS4 avec diode copack complète, TO-247-4
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FGHL40T65LQDT
IGBT à faible valeur Vce(sat) 650 V et 40 A FS4 avec diode copack complète, TO-247-3
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NFL25065L4BT
Module d'alimentation intelligent - PFC entrelacé biphasé, 650 V, 50 A
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FFSD0665B
Diode Schottky en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 6 A, 650 V, D2, DPAK
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FFSP0665B
Diode Schottky en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 6 A, 650 V, D2, TO-220-2L
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FFSB0665B
Diode Schottky en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 6 A, 650 V, D2, D2PAK-2L
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NTBG015N065SC1
MOSFET en carbure de silicium (SiC) EliteSiC, 12 mΩ, 650 V, M2 D2PAK-7L
Afficher les détails NTBL045N065SC1
MOSFET en carbure de silicium (SiC) EliteSiC, 33 mΩ, 650 V, M2 TOLL
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MOSFET en carbure de silicium (SiC) EliteSiC, 12 mΩ, 650 V, M2 D2PAK-4L
Afficher les détails NVH4L070N120M3S
MOSFET en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 65 mΩ, 1200 V, M3S, TO247-4L
Afficher les détails NTHL045N065SC1
MOSFET en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 57 mΩ, 650 V, M2, TO-247-3L
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MOSFET en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 44 mΩ, 650 V, M2, TO-247-3L
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MOSFET en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 44 mΩ, 650 V, M2, D2PAK-7L
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NTBG060N090SC1
Canal N, 900 V, 5,8 A (Ta), 44 A (Tc), 3,6 W, (Ta), 211 W (Tc), montage en surface
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LSN2003
Circuit d'attaque/commutateur d'alimentation 1:1 Darlington, 500 mA, 16-SOIC
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Système monophasé - Unité intérieure
Produits phares
Système triphasé - Unité extérieure
Produits phares
NCP1681
Contrôleur PFC (correction du facteur de puissance) multimode (CrM-CCM) / mode de conduction continue (CCM) totem-pôle
Afficher les détails FAN9673
Contrôleur de facteur de puissance en mode de conduction continue (CCM), trois canaux entrelacés
Afficher les détails NCP1655
Contrôleur PFC multimode (CrM-CCM), protection contre les coupures de courant
Afficher les détails FGHL50T65LQDTL4
IGBT à faible valeur Vce(sat) FS4, 650 V, 50 A, avec diode copack complète, TO-247-4
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IGBT à faible valeur Vce(sat) FS4, 650 V, 40 A, avec diode copack complète, TO-247-3
Afficher les détails NFL25065L4BT
Module d'alimentation intelligent - PFC entrelacé biphasé, 650 V, 50 A
Afficher les détails FFSD0665B
Diode Schottky en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 6 A, 650 V, D2, DPAK
Afficher les détails FFSP0665B
Diode Schottky en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 6 A, 650 V, D2, TO-220-2L
Afficher les détails FFSB0665B
Diode Schottky en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 6 A, 650 V, D2, D2PAK-2L
Afficher les détails NTBG015N065SC1
MOSFET en carbure de silicium (SiC) EliteSiC, 12 mΩ, 650 V, M2 D2PAK-7L
Afficher les détails NTBL045N065SC1
MOSFET en carbure de silicium (SiC) EliteSiC, 33m Ω, 650 V, M2 TOLL
Afficher les détails NTH4L015N065SC1
MOSFET en carbure de silicium (SiC) EliteSiC, 12 mΩ, 650 V, M2 D2PAK-4L
Afficher les détails NVH4L070N120M3S
MOSFET en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 65 mΩ, 1200 V, M3S, TO247-4L
Afficher les détails NTHL075N065SC1
MOSFET en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 57 mΩ, 650 V, M2, TO-247-3L
Afficher les détails NTHL060N065SC1
MOSFET en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 44 mΩ, 650 V, M2, TO-247-3L
Afficher les détails NTBG060N065SC1
MOSFET en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 44 mΩ, 650 V, M2, D2PAK-7L
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Canal N, 900 V, 5,8 A (Ta), 44 A (Tc), 3,6 W (Ta), 211 W (Tc), montage en surface
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Circuit d'attaque/commutateur d'alimentation 1:1 Darlington, 500 mA, 16-SOIC
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Système triphasé - Unité intérieure
Produits phares
Ressources supplémentaires
Modules d'alimentation intelligents (IPM)
- Fiches techniques des IPM
- AND9944 – Note d'application du module d'alimentation onduleur triphasé 650 V SPM49
- AND9933 – Note d'application du module d'alimentation onduleur triphasé 650 V SPM31
- AND9088 – Note d'application du module intelligent 600 V SPM3
- AND90189 – Note d'application du module d'alimentation onduleur triphasé 600 V SPM5
- AND9390 – Module d'alimentation onduleur triphasé pour la série DIPS6 Compact IPM 600 V
- AND90185 – Note d'application du module d'alimentation intelligent SPM45
Alimentation discrète
- TND6396 – Carbure de silicium – D'un matériau exigeant à une fiabilité robuste
- TND6260 - Méthodologies de modélisation SPICE évolutives, sur des bases physiques, pour dispositifs électroniques d'alimentation modernes
- AN1040 – Considérations de montage pour les semi-conducteurs de puissance
Circuit d'attaque de grille
- AND9949 – Note de conception du circuit d'attaque de grille NCD(V)57000/1
- TND6237 – MOSFET SiC : optimisation de l'attaque de grille
- AND9674 – Guide de conception et d'application du circuit d'amorçage pour circuit intégré d'attaque de grille haute tension
- AND90004 – Analyse de la dissipation de puissance et considérations thermiques pour les cicuits d'attaque de grille haute tension
PFC
- TND6361 – Répondre à des normes de rendement strictes grâce à la correction du facteur de puissance du totem-pôle sans pont
- AN42047 - Bases de la correction du facteur de puissance
- TND6278 - Correction du facteur de puissance – Options d'optimisation
- AN4165 - Directives de conception pour un PFC CCM entrelacé à 3 canaux utilisant le contrôleur PFC CCM 5 kW FAN9673
- TND6384 – Considérations relatives à la disposition PFC totem-pôle
- AND90156 - Étapes clés pour concevoir un étage PFC compact et à haut rendement à l'aide du NCP1623A
- AND90147 – Trucs et astuces du circuit intégré PFC totem-pôle CrM
- AND90011 – Trucs et astuces du NCP1618
- AND90012 - Étapes clés pour concevoir un étage PFC multimode à l'aide du NCP1618A
- AND9925 – Trucs et astuces des FAN9672/3
Autres produits
- AND9750 – Amplificateurs de détection de courant, FAQ
PFC
- Calculatrice de conception NCP1680
- Calculatrice Excel de conception de contrôleur multimode totem-pôle NCP1681
- Calculatrice Excel de conception de contrôleur CCM totem-pôle NCP1681
- Feuille de travail de conception NCP1681
France