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MOSFET en carbure de silicium (EliteSiC) de 900 V
Les MOSFET d'onsemi offrent un haut rendement, une densité de puissance accrue et un format système réduit
Les MOSFET en carbure de silicium (EliteSiC) de 900 V d'onsemi utilisent une technologie offrant des performances de commutation et une fiabilité supérieures par rapport au silicium. De plus, la faible résistance à l'état passant et la taille compacte de la puce garantissent une basse capacité et une faible charge de grille. En conséquence, les avantages du système incluent un rendement élevé, une fréquence de fonctionnement supérieure, une densité de puissance accrue, des interférences électromagnétiques (EMI) inférieures et un format système réduit.
Fonctionnalités
- Caractérisé à 900 V
- Faible résistance à l'état passant
- La taille compacte de la puce garantit une basse capacité et une faible charge de grille.
- Basse capacité et commutation haute vitesse
- Testé UIL à 100 %
- Homologation automobile selon la norme AEC-Q101
Applications
- PFC
- Chargeurs embarqués
- Onduleurs élévateurs
- Charge photovoltaïque
- Convertisseurs CC/CC automobiles pour véhicules électriques/hybrides rechargeables
- Chargeurs embarqués automobiles
- Commandes de moteurs auxiliaires automobiles
- Alimentations réseau
- Alimentations serveur
900 V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
| Image | Référence fabricant | Description | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | NVBG020N090SC1 | SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK | 508 - Immédiatement 4800 - Stock usine | $30.24 | Afficher les détails |
|  | NTHL020N090SC1 | SICFET N-CH 900V 118A TO247-3 | 1585 - Immédiatement 2700 - Stock usine | $24.32 | Afficher les détails |
| | NVHL020N090SC1 | SICFET N-CH 900V 118A TO247-3 | 168 - Immédiatement | $26.43 | Afficher les détails |
|  | NTH4L060N090SC1 | SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL | 478 - Immédiatement 450 - Stock usine | $11.83 | Afficher les détails |
|  | NTBG020N090SC1 | SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK | 974 - Immédiatement | $23.97 | Afficher les détails |
| | NTHL060N090SC1 | SICFET N-CH 900V 46A TO247-3 | 2653 - Immédiatement 22950 - Stock usine | $10.39 | Afficher les détails |
| | NVHL060N090SC1 | SICFET N-CH 900V 46A TO247-3 | 163 - Immédiatement 59400 - Stock usine | $13.30 | Afficher les détails |
Other Wide Bandgap Solutions
| Image | Référence fabricant | Description | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| | NTHL080N120SC1 | SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3 | 0 - Immédiatement | See Page for Pricing | Afficher les détails |
|  | FFSD08120A | DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA | 2633 - Immédiatement 5000 - Stock usine | $5.54 | Afficher les détails |
|  | NCD57001DWR2G | DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOIC | 1231 - Immédiatement | $5.22 | Afficher les détails |
|  | NCP51705MNTXG | IC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFN | 961 - Immédiatement 114000 - Stock usine | $4.91 | Afficher les détails |
|  | FFSB0665B | DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO263 | 627 - Immédiatement | $2.58 | Afficher les détails |
|  | NDSH25170A | DIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472 | 0 - Immédiatement | $15.05 | Afficher les détails |
Date de publication : 2020-04-14
France