Relais MOSFET G3VM-QR

Les MOSFET S-VSON d'Omron se caractérisent par un facteur de forme compact et une tenue en courant élevée

Les MOSFET S-VSON série G3VM-QR d'Image des relais MOSFET G3VM-QR d'OmronOmron Electronic Components sont conçus avec un facteur de forme compact et offrent une haute tenue en courant, y compris la version G3VM-61QR3 avec une résistance à l'état passant remarquablement faible et une faible capacité de sortie. Ces MOSFET à quatre broches peuvent gérer des tensions de charge atteignant 100 V et des courants de charge continus de seulement 0,65 A. Ils offrent également une rigidité diélectrique de 500 V/min entre l'entrée et la sortie, et fonctionnent de manière fiable sur une large plage de températures ambiantes de -40°C à +110°C. Les modèles 21QR, 21QR1 et 41QR4 ont des temps de mise en marche et d'arrêt rapides, une faible capacité et résistance, et des variations dans les tensions de charge et les courants de charge continus. La faible capacité et la faible résistance minimisent la distorsion du signal et les pertes d'insertion dans les applications haute fréquence et de lignes de données. Convenant à diverses applications telles que les équipements de test de semi-conducteurs, les équipements de test et de mesure, les dispositifs de communication et les enregistreurs de données, ces composants offrent des performances optimales, même dans des environnements exigeants.

Fonctionnalités
  • Tension de charge de 30 V, 60 V ou 100 V
  • Courant de charge continu maximal de 1,5 A
  • Réponse rapide
    • G3VM-61QR3 : temps de fonctionnement de 0,25 ms (max.) et temps de recouvrement de 0,2 ms (max.)
    • G3VM-21QR : temps de fonctionnement de 0,08 ms (max.) et temps de recouvrement de 0,12 ms (max.)
    • G3VM-21QR1 et G3VM-41QR4 : temps de fonctionnement de 0,15 ms (max.) et temps de recouvrement de 0,1 ms (max.)
  • Plage de températures de fonctionnement : -40°C à +110°C
  • Boîtier S-VSON
  • Forme de contact 1 A (SPST-NO)
  • G3VM-61QR3
    • Faible capacité de sortie
    • Type à faible résistance à l'état passant
  • Conformité à RoHS
Applications
  • Équipements de test de semi-conducteurs
  • Équipements de test et de mesure
  • Équipements de communications
  • Alimentations
  • Enregistreurs de données

G3VM-QR MOSFET Relays

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
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Date de mise à jour : 2026-02-10
Date de publication : 2024-09-25