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Transistor de puissance RF GaN MMRF5017HS
Le gain et la robustesse élevés font du MMRF5017HS de NXP un dispositif idéal pour les applications RF à large bande, à impulsions et à ondes entretenues
Le transistor de puissance RF GaN MMRF5017HS 125 W de NXP est capable de fonctionner à large bande de 30 MHz à 2200 MHz et est idéal pour les applications RF à large bande, à impulsions et CW (ondes entretenues). Les performances sont garanties pour les applications fonctionnant dans la bande de 30 MHz à 2200 MHz.
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MMRF5017HS RF Power GaN Transistor
| Image | Référence fabricant | Description | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
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 |  | MMRF5017HSR5 | RF MOSFET HEMT 50V NI400 | 0 - Immédiatement 1251 - Marketplace | $228.30 | Afficher les détails |
Date de publication : 2018-07-25
France