Nexperia

Transistors DFN1010

Ces transistors sont parfaitement adaptés pour la gestion de l'alimentation et les commutateurs de charge dans les applications soumises à des contraintes d'espace

Image des transistors DFN1010 en boîtier plastique de 1,1 mm² sans sorties de NXP Semiconductors Les transistors série DFN1010 de Nexperia's sont petits et puissants. Ils constituent la nouvelle génération de boîtier pour des courants jusqu'à 3 A. Il s'agit de transistors bipolaires et de transistors MOSFET à haute dissipation de puissance, avec des valeurs de référence pour RDSon et VCEsat. Ces transistors sont parfaitement adaptés pour la gestion de l'alimentation et les commutateurs de charge dans les applications soumises à des contraintes d'espace.

Informations sur les boîtiers

  • Boîtier plat ultracompact (1,1 mm x 1 mm x 0,37 mm)
  • Configuration simple et double (le plus petit boîtier pour les transistors doubles)
  • Dissipation de puissance (Ptot) de 1 W (DFN1010D-3)
  • Boîtier simple avec pastilles latérales soudables étamées pour montage amélioré et conformité automobile
Fonctionnalités

MOSFET simples et doubles (canal N/canal P)

  • Faible résistance RDSon de 34 mΩ
  • ID jusqu'à 3,2 A
  • Plage de tensions de 12 V à 80 V
  • Protection DES supérieure à 1 kV

Transistors bipolaires simples

  • Faibles valeurs VCEsat de 70 mV
  • Courant collecteur (IC) jusqu'à 2 A, courant collecteur de crête (ICM) jusqu'à 3 A
  • VCEO de 30 V et 60 V
  • Qualification AEC-Q101
Applications
  • Applications automobiles, mobiles et portables exigeant des solutions à faible encombrement
  • Gestion de l'alimentation
  • Circuits de charge
  • Commutateurs d'alimentation (moteurs, ventilateurs, etc.)
  • Décalage de niveau
  • Éclairage DEL (matrices DEL automobiles, etc.)
Date de mise à jour : 2017-08-08
Date de publication : 2013-10-22