MOSFET NextPowerS3 optimisés pour la CEM
Découvrez les fonctionnalités et applications avancées des MOSFET série NextPowerS3 de Nexperia, conçus pour la commutation de puissance à haut rendement
Les MOSFET série NextPowerS3 de Nexperia, comprenant les modèles PSMN1R7-40YLB, PSMN1R9-40YSB, PSMN2R0-40YLB, PSMN2R2-40YSB, PSMN2R5-40YLB, PSMN2R8-40YSB, PSMN3R2-40YLB et PSMN3R5-40YSB, représentent une avancée significative dans la technologie des MOSFET de puissance. Ces MOSFET à canal N sont optimisés pour les applications de commutation de puissance hautes performances, en offrant une faible résistance à l'état passant, une gestion du courant élevée et d'excellentes performances thermiques. Utilisant leurs technologies avancées TrenchMOS et Schottky-Plus, ces MOSFET offrent un meilleur rendement et une fiabilité supérieure. Ils sont conçus pour répondre aux exigences de l'électronique de puissance moderne, offrant des solutions robustes pour une large gamme d'applications, de l'automatisation industrielle aux systèmes automobiles. Cette série se caractérise par sa faible charge de grille, ses hautes vitesses de commutation et ses performances de compatibilité électromagnétique (CEM) améliorées, ce qui en fait un choix parfait pour les applications nécessitant un rendement élevé et de faibles interférences électromagnétiques.
- Optimisation pour des performances CEM améliorées
- Haute valeur nominale ID continu max
- Classement avalanche, test à 100 %
- Forte cote SOA (mode linéaire)
- Commutation ultrarapide avec recouvrement de diode de substrat souple
- Faibles valeurs Qrr, QG et QGD pour un rendement système élevé et des conceptions à faibles EMI
- Diode de substrat Schottky-Plus avec faible valeur VSD, recouvrement doux et faibles fuites IDSS
- Boîtier LFPAK (Power SO8) haute fiabilité, avec clip en cuivre et matrice de soudure attachés, qualifié à +175°C
- Faibles résistance et inductance parasites
- Automatisation, contrôle et instrumentation
- Systèmes autonomes, robotique et cobots
- Convertisseurs CC/CC
- Commande moteur CC sans balais
- Moteurs à balais
- Isolation des batteries
- Interrupteurs de charge et fusibles électroniques industriels
- Gestion des appels de courant, remplacement à chaud
EMC-Optimized NextPowerS3 MOSFETs
| Image | Référence fabricant | Description | Type de FET | Technologies | Tension drain-source (Vdss) | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | PSMN1R7-40YLBX | PSMN1R7-40YLB/SOT669/LFPAK | Canal N | MOSFET (oxyde métallique) | 40 V | 1500 - Immédiatement | $1.75 | Afficher les détails |
![]() | ![]() | PSMN1R9-40YSBX | PSMN1R9-40YSB/SOT669/LFPAK | Canal N | MOSFET (oxyde métallique) | 40 V | 1495 - Immédiatement | $1.76 | Afficher les détails |
![]() | ![]() | PSMN2R0-40YLBX | PSMN2R0-40YLB/SOT669/LFPAK | Canal N | MOSFET (oxyde métallique) | 40 V | 952 - Immédiatement | $1.53 | Afficher les détails |
![]() | ![]() | PSMN2R2-40YSBX | PSMN2R2-40YSB/SOT669/LFPAK | Canal N | MOSFET (oxyde métallique) | 40 V | 1485 - Immédiatement | $1.53 | Afficher les détails |
![]() | ![]() | PSMN2R5-40YLBX | PSMN2R5-40YLB/SOT669/LFPAK | Canal N | MOSFET (oxyde métallique) | 40 V | 1425 - Immédiatement | $1.29 | Afficher les détails |
![]() | ![]() | PSMN2R8-40YSBX | PSMN2R8-40YSB/SOT669/LFPAK | Canal N | MOSFET (oxyde métallique) | 40 V | 1442 - Immédiatement | $1.29 | Afficher les détails |
![]() | ![]() | PSMN3R2-40YLBX | PSMN3R2-40YLB/SOT669/LFPAK | Canal N | MOSFET (oxyde métallique) | 40 V | 1152 - Immédiatement | $1.25 | Afficher les détails |
![]() | ![]() | PSMN3R5-40YSBX | PSMN3R5-40YSB/SOT669/LFPAK | Canal N | MOSFET (oxyde métallique) | 40 V | 1435 - Immédiatement | $1.14 | Afficher les détails |






