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MOSFET en carbure de silicium (SiC) MSC400SMA330 de 3300 V
Les performances élevées du dispositif MSC400SMA330 de Microchip contribuent à optimiser le rendement du système et à minimiser son poids et sa taille
Le dispositif MSC400SMA330 fait partie de la famille de dispositifs MOSFET SiC de Microchip. Les solutions SiC de Microchip privilégient les hautes performances, ce qui permet d'optimiser le rendement du système et de minimiser son poids et sa taille. La fiabilité éprouvée du SiC de Microchip garantit également l'absence de dégradation des performances pendant la durée de vie de l'équipement final.
Fonctionnalités
- Faibles capacités et faible charge de grille
- Vitesse de commutation rapide grâce à une faible résistance série équivalente (ESR) de grille interne
- Fonctionnement stable à une température de jonction élevée, TJ(max) = 150°C
- Diode de substrat rapide et fiable
- Robustesse supérieure en matière d'avalanche
- Conformité à RoHS
MSC400SMA330 3300 V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
| Image | Référence fabricant | Description | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | MSC400SMA330B4 | MOSFET SIC 3300 V 400 MOHM TO-24 | 0 - Immédiatement | See Page for Pricing | Afficher les détails |
Date de publication : 2024-01-19
France