Diodes DES haute puissance unidirectionnelles/bidirectionnelles

Les dispositifs de protection contre les décharges électrostatiques de MCC bénéficient de la technologie RDL et améliorent la densité et la dissipation thermique dans un boîtier CSP1006-2 compact

Image des diodes DES haute puissance unidirectionnelles/bidirectionnelles de Micro Commercial CoLes dispositifs de protection contre les décharges électrostatiques (DES) unidirectionnels/bidirectionnels monolignes CSPSBHC4V8LB, CSPSBHC6V3LB et CSPHC4V8L de MCC sont conçus pour offrir le nec plus ultra en matière de performances. Ils exploitent la technologie innovante de couche de redistribution (RDL) pour relier le plot de la borne de la puce à celui du boîtier, permettant une réalisation haute puissance et un boîtier CSP1006-2 compact. Ces diodes améliorent la densité du boîtier, les performances électriques et la dissipation thermique.

Avec des courants d'impulsion de crête de 1350 W à 1600 W et une plage VRWM comprise entre 3,3 V et 4,8 V, ces diodes DES offrent une protection robuste et fiable contre les événements électrostatiques. Une faible tension de blocage de 15 V à 16,5 V ne fait qu'accroître leurs performances.

Rigoureusement testées pour répondre aux normes d'immunité CEI 61000-4-2 (DES), ces diodes DES résistent aux décharges dans l'air de ±30 kV et aux décharges par contact de ±30 kV. Les diodes sont conformes aux normes CEI 61000-4-5 (foudre) de 90 A/100 A (8/20 μs), assurant une protection fiable dans les environnements difficiles.

Des dispositifs grand public aux applications de télécommunications critiques, les diodes DES haute puissance de MCC constituent la solution idéale pour des performances incontestables.

Fonctionnalités
  • Technologie RDL : réduction de la taille et amélioration des performances
  • Courant d'impulsion de crête élevé (PPK) : de 1350 W à 1600 W
  • Sélection VRWM allant de 3,3 V à 4,8 V
  • Boîtier ultracompact : CSP1006-2
  • Faible tension de blocage : 15 V à 16,5 V
  • Test d'immunité CEI 61000-4-2 (DES) réussi :
    • Décharge d'air : ±30 kV
    • Décharge par contact : ±30 kV
  • Conformité aux normes CEI 61000-4-5 (foudre) : 90 A/100 A (8/20 μs)
Applications
  • Dispositifs grand public
    • Smartphones
    • Tablettes
    • Technologies de dispositifs corporels
  • Informatique
    • Ordinateurs portables
    • Ordinateurs de bureau
    • Serveurs
  • Industrie
    • Systèmes d'automatisation
    • Panneaux de commande
    • Équipements de fabrication
  • Télécommunications
    • Dispositifs de mise en réseau
    • Infrastructure de télécommunications
    • Stations de base mobiles

Uni/Bidirectional High-Power ESD Diodes

ImageRéférence fabricantDescriptionTension - Sécurité inverse (typ.)Tension - Claquage (min.)Tension - Blocage (max.) @ IppCourant - Impulsion de crête (10/1000µs)Quantité disponiblePrixAfficher les détails
TVS DIODE 4.8VWM 16VC CSP1006-2CSPSBHC4V8LB-TPTVS DIODE 4.8VWM 16VC CSP1006-24,8V (maxi)5V16V100 A (8/20µs)18575 - Immédiatement$0.32Afficher les détails
TVS DIODE 6.3VWM 16.5V CSP10062CSPSBHC6V3LB-TPTVS DIODE 6.3VWM 16.5V CSP100626,3V (maxi)6,5V16,5V90 A (8/20µs)14690 - Immédiatement$0.32Afficher les détails
TVS DIODE 4.8VWM 15VC CSP1006-2CSPHC4V8L-TPTVS DIODE 4.8VWM 15VC CSP1006-24,8V (maxi)5V15V90 A (8/20µs)7070 - Immédiatement$0.24Afficher les détails
Date de publication : 2024-07-22