Redresseur Schottky en carbure de silicium (SiC) 1200 V et 2 A SICU02120G4J-TP

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            Redresseur Schottky en carbure de silicium (SiC) 1200 V et 2 A SICU02120G4J-TP
                    La diode Schottky SiC 1200 V et 2 A SICU02120G4J-TP de MCC est idéale pour les conversions de puissance à haut rendement, à haute vitesse et à haute température
    

Le redresseur Schottky SiC haute tension 2 A SICU02120G4J-TP de Micro Commercial Components est disponible dans le boîtier DPAK standard de l'industrie. Tirant parti des propriétés matérielles supérieures du SiC, cette diode élimine la charge de recouvrement inverse (Q_rr), une source majeure de pertes de commutation dans les diodes au silicium conventionnelles. Elle est conçue pour offrir des performances à haut rendement dans les systèmes de conversion de puissance haute tension et haute fréquence, garantissant ainsi une fiabilité supérieure, un fonctionnement à température plus élevée et une réduction des interférences électromagnétiques.

Fonctionnalités

L'absence de courant de recouvrement inverse élimine les pertes par recouvrement inverse, permettant ainsi un rendement plus élevé
Le coefficient de température positif, conçu avec une tension directe (_Vf) qui augmente avec la température, favorise une stabilité thermique naturelle et facilite le fonctionnement en parallèle pour des capacités de courant plus élevées
Cela offre des capacités de commutation ultrarapides, en faisant un choix parfait pour les circuits à haute fréquence

La capacité à fonctionner à des températures de jonction plus élevées ( _Tj max = +175°C) accroît la robustesse du système et réduit les besoins en refroidissement
Le boîtier DPAK offre une empreinte standard pour une intégration aisée et assure une bonne gestion de la puissance grâce à sa pastille thermique exposée
Le dispositif est conforme à la norme RoHS et sans halogène, en accord avec les normes environnementales mondiales et les initiatives de fabrication écologique

Applications