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MOSFET à canal N de 60 V MCACL190N06Y-TP en boîtier DFN5060-C
Le MOSFET de puissance à canal N de 60 V, 2 mΩ, 190 A de MCC est disponible dans un boîtier compact de 5 mm x 6 mm pour une commutation à haut rendement
Le MOSFET à canal N hautes performances de 60 V MCACL190N06Y-TP de Micro Commercial Components (MCC) est disponible dans le boîtier compact DFN5060-C. Doté de la technologie Clip, ce dispositif présente une résistance à l'état passant drain-source statique ultrafaible d'environ 2 mΩ, ainsi qu'un courant nominal continu élevé de 190 A, ce qui le rend idéal pour les applications de commutation de puissance à haut rendement. Le MCACL190N06Y-TP offre aux concepteurs une solution fiable et thermiquement performante pour les systèmes d'alimentation de nouvelle génération dans les circuits industriels, grand public et automobiles.
Fonctionnalités
- Très faible résistance RDS(on) d'environ 2 mΩ (max.) à VGS = 10 V, minimisant les pertes par conduction et améliorant le rendement des conceptions à fort courant
- Technologie de MOSFET à tranchée à grille divisée, optimisée pour réduire les pertes de commutation et augmenter le rendement
- Tension drain-source (VDS) nominale de 60 V, adaptée aux systèmes d'alimentation à tension modérée et aux topologies de commutation
- Haute tenue en courant de drain continu (190 A) pour les étages de puissance exigeants
- Boîtier DFN5060-C offrant un encombrement réduit et un transfert thermique efficace pour les configurations de circuits imprimés à haute densité
- Conformité à la norme RoHS et sans halogène, s'inscrivant dans le cadre des initiatives environnementales et de fabrication écologiques internationales
Application
- Convertisseurs CC/CC
- Applications de commutateurs de charge et de gestion de l'alimentation
- Contrôleurs moteurs
- Alimentations pour les télécommunications et l'industrie
- Systèmes alimentés par batterie
Date de publication : 2026-04-13
