MOSFET à canal N de niveau logique de 30 V à 60 V

Les MOSFET de MCC offrent un meilleur contrôle de grille et une faible résistance à l'état passant dans un boîtier DFN5060 compact

Image des MOSFET à canal N de niveau logique de MCCLes MOSFET à canal N de niveau logique MCAC1D1N03YL de 30 V, MCAC1D4N04YL de 40 V et MCAC2D7N06YL de 60 V de MCC permettent de simplifier les conceptions et d'améliorer le rendement.Ces composants offrent des avantages uniques pour commander les MOSFET directement par le microcontrôleur via les ports d'E/S. Certains MOSFET de niveau logique avec une tension de seuil de 1 V ou moins sont trop sensibles pour certaines applications, ce qui entraîne des déclenchements intempestifs.

Ces MOSFET de niveau logique sont conçus avec une plage de valeurs VGS(th) légèrement plus élevées de 1,2 V et 2,3 V pour aider à contrôler la sensibilité et garantir la fiabilité. Ces dispositifs sont dotés de la technologie SGT (Split-Gate Trench) pour des performances thermiques améliorées et d'une plage de faibles valeurs de résistance à l'état passant RDS(ON) de 1,1 mΩ à 2,7 mΩ afin de minimiser les pertes. Le boîtier DFN5060 à haute densité de puissance permet de répondre aux besoins de conception compacte. Dans le même temps, la tension de seuil de la grille de niveau logique permet une commande directe depuis les ports d'E/S du microcontrôleur, réduisant ainsi le besoin de composants supplémentaires.

Les MOSFET de niveau logique de MCC résolvent les défis de conception tout en améliorant le fonctionnement et le rendement dans diverses applications.

Fonctionnalités
  • Technologie SGT pour un rendement et des performances accrus
  • Excellentes performances thermiques garantissant un fonctionnement stable dans des conditions de puissance élevée
  • Plage de faibles valeurs de résistance à l'état passant RDS(ON) : 1,1 mΩ à 2,7 mΩ, offrant une tenue en courant plus élevée et des pertes de puissance réduites
  • Boîtier DFN5060 à haute densité de puissance répondant aux besoins de conception compacte
  • La tension de seuil de grille de niveau logique permet une commande directe depuis les ports d'E/S du microcontrôleur, ce qui simplifie les conceptions
Applications
  • Systèmes de gestion des batteries
  • Commande d'éclairage
  • Entraînements de moteurs
  • Convertisseurs CC/CC
  • Commutateurs bas potentiel

Logic-Level N-Channel MOSFETs

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
MOSFET N-CH 30 240A DFN5060MCAC1D1N03YL-TPMOSFET N-CH 30 240A DFN50609877 - Immédiatement$2.34Afficher les détails
MOSFET N-CH 40 185A DFN5060MCAC1D4N04YL-TPMOSFET N-CH 40 185A DFN50609977 - Immédiatement$1.46Afficher les détails
MOSFET N-CH 60 120A DFN5060MCAC2D7N06YL-TPMOSFET N-CH 60 120A DFN50609440 - Immédiatement$1.71Afficher les détails
Date de publication : 2024-07-09