MOSFET de puissance de 40 V à 100 V de qualité automobile

Les MOSFET en boîtiers DFN qualifiés AEC-Q101 de MCC garantissent rendement et fiabilité

Image des MOSFET de puissance de 40 V à 100 V de qualité automobile de MCCLes MOSFET de puissance de qualité automobile de MCC sont efficaces, fiables et spécialement conçus pour offrir des performances exceptionnelles dans les applications les plus exigeantes. Allant de 40 V à 100 V, ces MOSFET de puissance à canal N et canal P ont obtenu la qualification AEC-Q101, sont compatibles PPAP et s'avèrent excellents. En tirant parti de deux technologies MOSFET innovantes - tranchée et tranchée à grille divisée - ces produits offrent une flexibilité inégalée et un large éventail d'avantages.

Les MOSFET basse tension (BT) de puissance à tranchée de MCC, à savoir les MCG30N04HE3-TP et MCG35N04HE3-TP, offrent une faible résistance à l'état passant et une distribution de champ précise. La plus grande surface de grille garantit une gestion de puissance supérieure et des performances de commutation optimisées, ce qui fait de ces produits un choix parfait pour divers systèmes automobiles, de l'EPS à l'éclairage et au-delà.

Les MOSFET à tranchée à grille divisée (SGT) de MCC, notamment les MCG40N10YHE3-TP, MCAC80P06YHE3-TP et MCG15P10YHE3-TP, offrent une faible résistance à l'état passant, un contrôle amélioré de la distribution du champ électrique et des performances exceptionnelles dans les applications à commutation élevée. La conception SGT est particulièrement adaptée aux dispositifs haute tension utilisés dans les alimentations automobiles, les convertisseurs CC/CC, d'autres fonctions automobiles cruciales et les utilisations industrielles.

Ces produits sont disponibles en boîtiers DFN3333 et DFN5060, fournissant une dissipation thermique supérieure tout en offrant la possibilité d'une conception compacte pour économiser de l'espace et réduire les coûts globaux de nomenclature.

Fonctionnalités et avantages
  • Qualification AEC‑Q101
  • Technologie MOSFET à tranchée et MOSFET à tranchée à grille divisée
  • Faible résistance RDS(on) réduisant les pertes par conduction
  • Faible capacité réduisant les pertes du conducteur
  • Excellents boîtiers pour la dissipation thermique
  • Disponibilité en deux formats compacts : DFN5060 et DFN3333
  • Dispositif écologique sans halogène
  • Époxy conforme aux caractéristiques d'inflammabilité UL 94 V-0
  • Finition sans plomb/conformité à RoHS

Automotive-Grade Power MOSFETs from 40 V to 100 V

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
MOSFET P-CH 60 80A DFN5060MCAC80P06YHE3-TPMOSFET P-CH 60 80A DFN50603836 - Immédiatement$2.37Afficher les détails
P-CHANNEL MOSFET, DFN3333MCG15P10YHE3-TPP-CHANNEL MOSFET, DFN33333968 - Immédiatement$1.14Afficher les détails
N-CHANNEL MOSFET, DFN3333MCG30N04HE3-TPN-CHANNEL MOSFET, DFN333312424 - Immédiatement$0.68Afficher les détails
N-CHANNEL MOSFET, DFN3333MCG35N04HE3-TPN-CHANNEL MOSFET, DFN33339975 - Immédiatement$0.94Afficher les détails
N-CHANNEL MOSFET, DFN3333MCG40N10YHE3-TPN-CHANNEL MOSFET, DFN33338202 - Immédiatement$1.26Afficher les détails
Date de publication : 2023-11-30