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IGBT de 650 V et 1200 V
Les IGBT de MCC offrent une capacité de conduction de courant supérieure avec de faibles pertes par conduction et de commutation
L'IGBT (transistor bipolaire à grille isolée) de MCC utilise une technologie en tranchée à champ limité (FS) qui offre une capacité de conduction de courant supérieure avec de faibles pertes par conduction et de commutation. Il permet une mise en parallèle grâce à son coefficient de température positif. Il est relativement facile à utiliser et simple à mettre en marche et à arrêter. Grâce à la diversité de la gamme de produits, les ingénieurs disposent de plus de solutions pour sélectionner les composants adéquats à intégrer dans leur application.
Fonctionnalités
- Faible VCE(SAT) pour une faible perte par conduction
- Faibles valeurs Eon/off pour une faible perte de commutation
- Haute conductivité du courant
- Diode de roue libre (FWD) à recouvrement progressif et rapide en anti-parallèle
- Coefficient de température positif
- Facile à installer en parallèle
Applications
- Onduleurs solaires/photovoltaïques
- Circuits PFC
- Alimentations secourues
- Machines à souder
- Circuits de commande moteur
- Dispositifs de chauffage et compresseurs électriques
Date de publication : 2022-10-24
