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MOSFET double à canal N et canal P de 100 V en boîtier DFN3333-D
Les MOSFET à double canal de MCC sont conçus pour les applications de puissance compactes
Le MCGD115NP10L-TP de Micro Commercial Components (MCC) constitue un ensemble de MOSFET double à canal N et à canal P de 100 V, conditionné dans le boîtier compact DFN3333-D. Conçu pour les systèmes d'alimentation à espace restreint, ce dispositif intègre des MOSFET à canal N et à canal P avec une résistance à l'état passant robuste et une haute tenue en courant. Avec une résistance à l'état passant maximale de 115 mΩ (canal N) à 10 V et un courant nominal de 10 A, le MCGD115NP10L-TP offre des performances de commutation et thermiques efficaces, ce qui le rend idéal pour les convertisseurs CC/CC, les commutateurs de charge et le contrôle de puissance à haute vitesse dans les environnements grand public, industriels et automobiles.
Fonctionnalités
- Un ensemble de MOSFET double à canal N et à canal P assure une commutation de puissance flexible dans un seul boîtier compact
- Technologie de MOSFET de puissance basse tension à tranchée
- Tension drain-source (VDS) nominale de 100 V, adaptée à une large plage de tensions de systèmes d'alimentation
- Faible résistance RDS(ON) à canal N de 115 mΩ (max.) à VGS = 10 V, ce qui réduit les pertes par conduction et améliore le rendement
- Les MOSFET complémentaires intégrés contribuent à simplifier la conception des circuits imprimés et à réduire le nombre de composants
- Le boîtier DFN3333-D à montage en surface permet des implantations de cartes à haute densité dans des systèmes compacts
- Conformité à la directive RoHS et sans halogène, et respect des normes environnementales internationales
Applications
- Convertisseurs CC/CC
- Applications de commutateurs de charge
- Gestion de l'alimentation dans les systèmes compacts
- Variateurs moteurs
- Commande de puissance pour les applications grand public et industrielles
Date de publication : 2026-04-24
