MOSFET de puissance 650 V de classe X3 à ultra-jonction

IXYS, a Littelfuse Technology, a développé les MOSFET de puissance de classe X3 à ultra-jonction et canal N en utilisant un principe de compensation de charge et une technologie de procédé propriétaire. Ces MOSFET à ultra-jonction offrent le meilleur facteur de mérite (résistance à l'état passant par charge de grille) de leur catégorie, ce qui se traduit par les pertes de conduction et de commutation les plus faibles. Ils présentent les résistances à l'état passant les plus faibles de l'industrie. Avec de faibles temps et charges de recouvrement inverse, les diodes de substrat sont capables de supprimer toutes les énergies restantes durant la commutation haute vitesse pour éviter la défaillance du dispositif et atteindre un rendement élevé. Ces dispositifs sont compatibles avec les avalanches et présentent également des performances dv/dt supérieures. Ils sont robustes contre les défaillances de dispositif causées par les pics de tension et la mise sous tension accidentelle de transistors bipolaires parasites inhérents à la structure MOSFET. Par conséquent, ces dispositifs renforcés nécessitent moins de circuits d'amortissement et ils peuvent être utilisés dans les convertisseurs de puissance à commutation dure ou souple.