IGBT à tranchées 650 V XPT™

IXYS Corporation/Littelfuse présente la gamme de transistors IGBT à tranchées 650 V XPT. Les courants nominaux des dispositifs de cette gamme s'étendent de 30 A à 200 A, à haute température de 110°C. Avec des tensions à l'état passant de seulement 1,7 V, ces dispositifs XPT™ (eXtreme-light Punch-Through) sont conçus pour minimiser les pertes de commutation et de conduction, plus particulièrement dans les applications de commutation dure. Optimisés pour plusieurs plages de vitesses de commutation (jusqu'à 60 kHz), ces IGBT offrent aux concepteurs une grande flexibilité de sélection de dispositifs en termes de coûts, de tension de saturation et de fréquence de commutation.

Développés selon la technologie XPT à fine plaquette d'IXYS/Littelfuse et le processus IGBT à tranchées de 4e génération (GenX4™), ces dispositifs affichent une résistance thermique réduite, de faibles pertes d'énergie, une commutation rapide, un faible courant de queue et des densités de courant élevées. De plus, ils montrent une robustesse exceptionnelle en conditions de court-circuit : aire de sécurité en court-circuit (SCSOA) de 10 µs. Ces IGBT présentent également une aire de sécurité en polarisation inverse (RBSOA) jusqu'à une tension de claquage de 650 V, ce qui les rend parfaitement adaptés aux applications de commutation dure sans amortissement. Les autres atouts incluent un coefficient de température de tension collecteur-émetteur positif, permettant aux concepteurs d'utiliser plusieurs dispositifs en parallèle pour répondre aux exigences de fort courant, et de faibles charges de grille permettant de réduire les exigences en termes d'attaque de grille et les pertes de commutation.