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MOSFET de puissance à ultra-jonction et canal N 200 V de classe X4 d'IXYS avec HiPerFET™
Les MOSFET d'IXYS résistent aux avalanches et affichent des performances dV/dt supérieures.
Les MOSFET de puissance d'IXYS sont développés à l'aide d'un principe de compensation de charge et d'une technologie de processus propriétaire qui se traduit par des valeurs considérablement réduites de la résistance à l'état passant (RDS(ON)) et de la charge de grille (Qg). Une faible résistance à l'état passant réduit les pertes par conduction ; elle diminue également l'énergie stockée dans la capacité de sortie, minimisant ainsi les pertes de commutation. Une faible charge de grille permet d'obtenir un meilleur rendement à faibles charges, et aide à réduire les besoins d'attaque de grille. En outre, ces MOSFET résistent aux avalanches et affichent des performances dV/dt supérieures. En raison du coefficient de température positif de leur résistance à l'état passant, ils peuvent être utilisés en parallèle pour répondre à des exigences de courant plus élevées.
- Redressement synchrone dans les alimentations à découpage
- Commande de moteur (systèmes de 48 V à 80 V)
- Convertisseurs CC/CC
- Alimentations secourues
- Chariots élévateurs électriques
- Amplificateurs audio de classe D
- Systèmes de télécommunications
- Faibles valeurs de la résistance à l'état passant (RDS(ON)) et de la charge de grille (Qg)
- Robustesse des valeurs dV/dt
- Capacité d'avalanche
- Boîtiers aux normes internationales
200 V X4-Class N-Channel Ultra Junction Power MOSFETs with HiPerFET™
| Image | Référence fabricant | Description | Puissance - Max. | Td (on/off) à 25°C | Température de fonctionnement | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | IXXH80N65B4 | IGBT PT 650V 160A TO-247AD | 625 W | 38ns/120ns | -55°C ~ 175°C (TJ) | 4927 - Immédiatement 810 - Stock usine | $8.24 | Afficher les détails |
|  | IXXX160N65B4 | IGBT PT 650V 310A PLUS247 | 940 W | 52ns/220ns | -55°C ~ 175°C (TJ) | 690 - Immédiatement 840 - Stock usine | $23.35 | Afficher les détails |
|  | IXYA20N120C4HV | IGBT PT 1200V 68A TO-263HV | 375 W | 14ns/160ns | 53 ns | 278 - Immédiatement 250 - Stock usine | $9.28 | Afficher les détails |
| | IXYA20N120B4HV | IGBT PT 1200V 76A TO-263HV | 375 W | 15ns/200ns | 47 ns | 600 - Immédiatement | $6.39 | Afficher les détails |
|  | IXXK110N65B4H1 | IGBT PT 650V 240A TO-264 | 880 W | 38ns/156ns | 100 ns | 312 - Immédiatement | $20.87 | Afficher les détails |
| | IXXH60N65B4H1 | IGBT PT 650V 116A TO-247AD | 380 W | 37ns/145ns | 150 ns | 251 - Immédiatement | $11.39 | Afficher les détails |
| | IXXH80N65B4H1 | IGBT PT 650V 160A TO-247AD | 625 W | 38ns/120ns | 150 ns | 1049 - Immédiatement | $11.49 | Afficher les détails |
| | IXXH30N65B4 | IGBT PT 650V 65A TO-247AD | 230 W | 32ns/170ns | -55°C ~ 175°C (TJ) | 15 - Immédiatement | $6.32 | Afficher les détails |
|  | IXXR110N65B4H1 | IGBT PT 650V 150A ISOPLUS247 | 455 W | 38ns/156ns | 100 ns | 317 - Immédiatement 300 - Stock usine | $23.34 | Afficher les détails |
| | IXXX200N65B4 | IGBT PT 650V 370A PLUS247 | 1150 W | 62ns/245ns | -55°C ~ 175°C (TJ) | 1421 - Immédiatement | $33.35 | Afficher les détails |
| | IXXH110N65C4 | IGBT PT 650V 234A TO-247AD | 880 W | 35ns/143ns | -55°C ~ 175°C (TJ) | 0 - Immédiatement 5190 - Stock usine | $12.25 | Afficher les détails |
| | IXXX110N65B4H1 | IGBT PT 650V 240A PLUS247 | 880 W | 38ns/156ns | 100 ns | 177 - Immédiatement | $18.37 | Afficher les détails |
France