Circuit d'attaque IGBT et MOSFET SiC bas potentiel de 9 A IX4352NE

Le circuit d'attaque de grille IX4352NE d'IXYS, a Littelfuse Technology, est conçu spécifiquement pour commander des MOSFET SiC et des IGBT haute puissance. Des sorties distinctes de 9 A pour la source et la réception permettent d'adapter les temps d'activation et de désactivation tout en minimisant les pertes de commutation. Un régulateur de charge négative interne fournit une polarisation d'attaque de grille négative sélectionnable par l'utilisateur pour une meilleure immunité dV/dt et une désactivation plus rapide.

Les circuits de détection de désaturation détectent une condition de surintensité du MOSFET SiC et déclenchent une mise hors tension progressive, empêchant ainsi un événement dV/dt potentiellement dommageable. L'entrée logique non inverseuse, IN, est compatible TTL et CMOS ; les dispositifs de décalage de niveau internes fournissent la polarisation nécessaire pour s'adapter aux tensions de polarisation d'attaque de grille négatives. Les fonctionnalités de protection supplémentaires comprennent une détection du verrouillage en cas de sous-tension (UVLO) et un blocage thermique. Une sortie FAULT à drain ouvert signale une anomalie au microcontrôleur.