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Circuit intégré d'attaque de grille double 5 A pour IGBT et MOSFET de puissance : IX4340UE
Le dispositif IX4340UE d'IXYS, a Littelfuse Technology dispose de deux sorties qui peuvent être mises en parallèle pour des applications à courant plus élevé
IXYS, a Littelfuse Technology, propose le circuit intégré d'attaque de grille double 5 A IX4340UE. Il dispose de deux sorties à courant élevé, toutes deux capables de générer et d'absorber jusqu'à 5 A. Les deux sorties présentent une tension maximale absolue de 20 V. Avec des temps de propagation adaptés, les circuits d'attaque de sortie identiques peuvent être connectés en parallèle pour des applications à courant plus élevé. Le dispositif IX4340UE à faible coût est bien adapté pour commander des IGBT et des MOSFET de puissance dans des applications d'alimentations à découpage haute puissance, des onduleurs, des convertisseurs CC/CC et des commandes de moteur.
Fonctionnalités
- Deux circuits d'attaque indépendants, chacun capable de générer et d'absorber 5 A
- Entrées compatibles CMOS et TTL
- Activation indépendante pour chaque circuit d'attaque
- Plage de tensions d'alimentation de 5 V à 20 V
- Plage de températures de fonctionnement étendue de -40°C à +125°C
Applications
- Alimentations à découpage
- Convertisseurs CC/CC
- Contrôleurs moteurs
- Onduleurs
Dual 5 A Gate Driver IC for Power MOSFETs and IGBTs: IX4340UE
| Image | Référence fabricant | Description | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | IX4340UETR | IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP | 6803 - Immédiatement 10000 - Stock usine | $0.93 | Afficher les détails |
Date de publication : 2020-01-03
France