SDRAM DDR3/3L de tests industriels et étendus

Les dispositifs SDRAM DDR3/3L d'Insignis garantissent un fonctionnement à des températures de jonction élevées grâce à leur flux de test étendu propriétaire

Image des dispositifs SDRAM DDR3/3L de tests industriels et étendus d'Insignis Les dispositifs de tests industriels et étendus sont des modules DRAM synchrones DDR3/3L haute vitesse, vérifiés avec le flux de test étendu propriétaire d'Insignis pour atténuer les défaillances précoces, garantissant une qualité supérieure et une fiabilité à long terme pour un usage industriel. La puce est conçue pour se conformer à toutes les fonctionnalités clés de la DRAM DDR3L, y compris la rétrocompatibilité totale avec DDR3, la seule exception étant la tension requise entre le composant DDR3 de 1 Go et le composant DDR3L de 1 Go. Toutes les entrées d'adresse et de contrôle sont synchronisées avec une paire d'horloges différentielles fournies en externe. Les entrées sont verrouillées au point de croisement des horloges différentielles (CK montant et CK# descendant). Toutes les E/S sont synchronisées avec la paire DQS différentielle de façon synchrone à la source.

Tous les composants DDR3 de 2 Go sont couverts par les composants DDR3L de 2 Go. Les composants DDR3 and DDR3L de 2 Go fonctionnent avec une alimentation simple de +1,35 V à 0,067 V/+0,1 V. Les composants DDR3 de 1 Go présentent une tension requise de 1,5 V, tandis que les composants DDR3L de 1 Go présentent une tension requise de 1,35 V. Tous les composants sont disponibles en boîtiers BGA.

Fonctionnalités
  • Qualité améliorée grâce au flux de test étendu propriétaire d'Insignis, qui garantit un fonctionnement à des températures de jonction élevées
  • Composant équivalent exact selon la norme JEDEC
  • AECQ-100 disponible
  • Plage de températures de fonctionnement
    • Test étendu (ET) : 0°C à +85°C
    • Test industriel (IT) : -40°C à +95°C (jusqu'à +105°C disponible)
  • Disponibilité en capacités de 1 Go et 2 Go
  • Plage de températures de fonctionnement
  • Prend en charge la spécification de gigue d'horloge JEDEC
  • Étalonnage ZQ
  • Architecture de préchargement à 8n bits
  • Conformité à RoHS
  • Précharge et mise hors tension active
  • Longueurs de rafales programmables : 4,8
  • Registres de mode programmable et de mode étendu
  • Contrôle de l'impédance du circuit d'attaque de sortie
  • Auto-rafraîchissement et rafraîchissement automatique
  • Précharge et mise hors tension active
  • Boîtier sans plomb et sans halogène
  • Nivellement d'écriture
Applications
  • Industrie
    • Automatisation d'usines
    • Machines de jeu
    • Cartes de commandes embarquées
    • PC industriels
    • Secteur médical
    • Impression
  • Communication/Surveillance
    • Équipement de surveillance à distance/sur le terrain
    • Sécurité/contrôle d'accès
    • Caméras
    • Mesures
  • Automobile/transports
    • Aviation
    • Rail
    • Maritime
    • Systèmes d'informations conducteur
    • Infoloisirs
  • Réseaux/télécommunications
    • Antennes cellulaires
    • Routeurs et commutateurs
    • Stockage en réseau

Industrial and Extended Test DDR3/3L SDRAM

ImageRéférence fabricantDescriptionTempérature de fonctionnementQuantité disponiblePrixAfficher les détails
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGANDL16PFJ-8KET TRIC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA0°C ~ 95°C (TC)0 - ImmédiatementSee Page for PricingAfficher les détails
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGANDL16PFJ-8KIT TRIC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA-40°C ~ 95°C (TC)0 - ImmédiatementSee Page for PricingAfficher les détails
Date de publication : 2018-10-09