Infineon Technologies

Transistors de puissance GaN

Les dispositifs normalement éteints à haut rendement CoolGaN™ d'Infineon permettent d'atteindre un niveau supérieur de densité de puissance

Image des transistors de puissance GaN d'Infineon Les transistors CoolGaN d'Infineon se caractérisent par des vitesses d'activation et de désactivation rapides, des pertes de commutation minimales et une grande variété d'options de boîtiers. Qualifiés selon des critères rigoureux, les dispositifs CoolGaN dépassent les normes de l'industrie et améliorent considérablement les performances globales du système, tout en minimisant les coûts et en augmentant la facilité d'utilisation.

Fonctionnalités
  • Transistors à mode d'enrichissement de 60 V à 120 V
  • Options de boîtier à refroidissement double face et par le dessous
  • Absence de charge de recouvrement inverse
  • Capacité de conduction inverse
  • Faible charge de grille, faible charge de sortie
  • Qualification au-delà des normes JEDEC
Avantages
  • Densité de puissance exceptionnelle
  • Rendement supérieur
  • Gestion thermique améliorée
  • Excellente fiabilité
  • Réduction du coût de nomenclature
  • Mise sur le marché rapide grâce à des cartes de référence prêtes à l'emploi
Applications
  • Amplificateurs audio
  • Outils fonctionnant sur batterie
  • Drones
  • Photovoltaïque
  • Robotique
  • Alimentations à découpage
  • Infrastructure de télécommunications
  • Adaptateurs et chargeurs USB-C®
Ressources

GaN Power Transistors

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
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Date de publication : 2025-07-22

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